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[参考译文] TPS54821：死区时间；效率计算、包括底部 FET 开关和

admin
Guru**** 1828310 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54821, TPS54824, TPS549A20
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/596219/tps54821-dead-time-efficiency-calculation-including-bottom-fet-switching-and

器件型号：TPS54821
主题中讨论的其他器件： TPS54824、 TPS549A20

根据以下链接中的公式10： http://www.ti.com/lit/an/slyt664/slyt664.pdf

 

我想大致预算 TPS54821、TPS54824和 TPS549A20底部 FET 体二极管中的功率损耗。

对于这些器件的低侧 FET、该公式的输入近似值是多少。 未指定或制表任何内容。

只需一阶值即可。

输出电压为0.8V。  由于漏源极电压较低、此低电压是否会影响底部 FET \二极管 的损耗？

 

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    您好、Stuart、您能与我分享您的输出电流和输入电压吗？
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    TI__Guru**** 1828310 points
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    作为参考、典型死区时间为18ns、二极管的压降为0.7V。因此、在您的公式中、Vf=0.7、tDLYUpLo=tDLYLoUp=18n。
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    TI__Guru**** 1828310 points
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    12V IN；7.5A OUT

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    应该可以。 您是否看到一些异常现象？  

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    由于最短导通时间、在您的规格中、开关频率应设计为低于384kHz