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器件型号：LM5104 您好！
使用连接的电路、我在正常工作期间测量 LM5104顶部的温度、温度约为70摄氏度。 器件间歇性故障、这可能与温度有关、也可能与温度无关。 封装是 SOIC-8。 LM5104以1kHz、5%至95%的占空比驱动。 FET 的供电电压约为14.5V。 VDD 是一个15V 稳定电源。
谢谢
非常感谢 Daniel 的及时反馈、
根据您的建议、我有一些结果：
- 用0欧姆链路替代 R26、R27会显著降低温度。
- 用100k 替换 R19没有可测量的影响。
要回答您的一些问题：
VHBridge 通常在13.5-14.5V 范围内。
- 所连接的示波器波形中的时基大约为10us/除法。
故障 机制很难诊断、因为 LM5104和 MOSFET 区域周围通常会发生大量热损坏、因此很难确定根本原因是 MOSFET 或 LM5104故障、因为通常无法更换或 测试任何组件。 该故障似乎会导致高 MOSFET 和低 MOSFET 连续导通。 我一直假设 LM5104是根本原因、因为我认为 MOSFET 在其限值(100V 漏极-源极、100A ID、150度 Tmax 等)内运行良好、但我开始想知道上述结果是否表明 MOSFET 发生击穿和后续损坏。 我有另一个故障装置、该装置在发生重大损坏之前似乎已被移除、因此我将对此进行调查、以查看它是否提供任何见解。
我想添加您建议的关断二极管、但对于目前正在循环的器件而言、这会很困难、而使用零欧姆链路替换栅极电阻器将非常简单。 您是否会建议这样做、因为它似乎会合理地降低 FET/LM5104温度？
我将调查最近失败的设备、并尝试回答您的其他问题。
我已附上 PCB 布局的屏幕截图。 希望这对您有意义！
再次感谢、
Phil
