[参考译文] LM5104：器件运行非常热、偶尔出现故障。

P C39、

感谢您关注 TI 的 LM5104驱动器。 我是该器件的应用工程师之一、将与您一起调试您观察到的行为。 乍一看、70ºC μ A 的运行温度在您描述的条件下确实显得很高、尤其是1kHz 的低开关频率。 但是、正如您所观察到的、70ºC 完全处于器件的工作条件内、并且可能与故障无关。

感谢您提供原理图和波形。 您的原理图看起来不错。 我建议在 VDD 处靠近器件引脚的100nF 范围内放置第二个电容器、以便在开通/关断期间提供高频电流。 从波形可以看到、VHBRIDGE 为10V。 请确认 LM5104发生故障时是否出现这种情况。 此外、所示波形的时间刻度是多少？ 我正在尝试确定 HS 引脚上振铃的严重程度。

器件发生故障时会发生什么情况？ 是暂时缺乏功能、还是器件出现损坏/不起作用？ 如果可能、请检查 HO/LO、HB/VDD、HS/PGND 引脚之间是否存在短路或敏感路径。

为了进行诊断、让我们尝试一些方法来帮助确定问题的来源：

1.要确定与容性负载条件(PCB 布线+ MOSFET Ciss)是否相关、请尝试在从电路中移除 R26/R27的情况下运行、并检查温度以及是否存在任何故障机制事件。

2.要查看是否需要更多的死区时间，请尝试将 R19增大到100k 欧姆，然后再次运行，并按上述方法进行检查。

3.也可以尝试添加与栅极电阻器并联的关断二极管，如 数据表的典型应用部分所示。 这将导致更快的关断电流、进而应降低功率损耗。

PCB 布局也会影响性能。 如果您共享、我可以为您查看电路板布局。

此致、

Daniel

非常感谢 Daniel 的及时反馈、

根据您的建议、我有一些结果：

-         用0欧姆链路替代 R26、R27会显著降低温度。

-         用100k 替换 R19没有可测量的影响。

要回答您的一些问题：

VHBridge         通常在13.5-14.5V 范围内。

-         所连接的示波器波形中的时基大约为10us/除法。

故障         机制很难诊断、因为 LM5104和 MOSFET 区域周围通常会发生大量热损坏、因此很难确定根本原因是 MOSFET 或 LM5104故障、因为通常无法更换或 测试任何组件。 该故障似乎会导致高 MOSFET 和低 MOSFET 连续导通。 我一直假设 LM5104是根本原因、因为我认为 MOSFET 在其限值(100V 漏极-源极、100A ID、150度 Tmax 等)内运行良好、但我开始想知道上述结果是否表明 MOSFET 发生击穿和后续损坏。 我有另一个故障装置、该装置在发生重大损坏之前似乎已被移除、因此我将对此进行调查、以查看它是否提供任何见解。

我想添加您建议的关断二极管、但对于目前正在循环的器件而言、这会很困难、而使用零欧姆链路替换栅极电阻器将非常简单。 您是否会建议这样做、因为它似乎会合理地降低 FET/LM5104温度？

我将调查最近失败的设备、并尝试回答您的其他问题。

我已附上 PCB 布局的屏幕截图。 希望这对您有意义！

再次感谢、

Phil