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[参考译文] LM5122:输出锁定和待机功耗最低

Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/633955/lm5122-output-lockup-and-stand-by-lowest-power-consumption

器件型号:LM5122

大家好、我的电路需要使用 LM5122将 Vin=15~21V 到 Vout=30V 的直流/直流升压转换器和7A 输出、我只需将这些信息放到 webench 设计中、然后生成原理图来遵循如下所示的组件值:

不幸的是、我遇到了以下问题:

开始时、我发现输出电压上的尖峰和噪声更大、尤其是在大负载时、在添加一些陶瓷电容器后、使 LM5122非常早地触发电流检测故障。 噪声似乎要小得多、但我不知道问题是否得到了实际解决。

2.由于我的产品在空闲模式下需要非常低的功耗、所以我将在不使用 LM5122 (通过 UVLO 或通过外部电路切断 Vin)时关闭 LM5122、并在输出中消耗一些电流时唤醒。 如果电流感应电路有信号、我让 MCU 打开 LM5122、然后触发 MCU。  如果在启动时不消耗电流并唤醒 LM5122、则一切都正常。 不过、我观察到、当睡眠时电流消耗较大时、LM5122似乎不会唤醒、输入电流过大、Cout 似乎需要更多的功率来为电容器充电、但结果不成功、然后 LM5122关闭、 然后再次唤醒并尝试为电容器充电...循环。 此外、M1温度上升。 问题发生在哪里?

在前面的讨论中、我需要在空闲模式下实现低功耗、我发现睡眠模式下的大部分电流消耗为 Rfbt 和 Rfbb、输出泄漏电流以及 LM5122电流泄漏、即使 UVLO 关闭(因此我在产品睡眠时切断 LM5122 Vin)、 我刚才附加了下面的修改、这是否合理? 或者需要注意其他任何问题?

非常感谢您回答我的问题。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Simon、

    感谢您与 TI 取得联系以获得帮助。 请参阅下面我的评论。

    开始时、我发现输出电压上的尖峰和噪声更大、尤其是在大负载时、 在添加一些陶瓷电容器后、使 LM5122非常早地触发电流检测故障。 噪声似乎要小得多、但我不知道问题是否得到了实际解决。

    请确保您正在正确探测输出电压。 探针上应使用短接地导线、以最大限度地降低高频噪声。 添加陶瓷电容器也有助于降低这种高频噪声。 这 是一个有关如何精确测量输出纹波的好博客。   

    2.由于我的产品在空闲模式下需要非常低的功耗、所以我将在  不使用 LM5122 (通过 UVLO 或通过外部电路切断 Vin)时关闭 LM5122、并在输出中消耗一些电流时唤醒。 如果  电流感应电路有信号、我让 MCU 打开 LM5122、然后触发 MCU。  如果在启动时不消耗电流并唤醒 LM5122、则一切都正常。 不过、我观察到、当睡眠时电流消耗较大时、 LM5122 似乎不会唤醒、输入电流过大、Cout 似乎需要更多的功率来为电容器充电、但结果不成功、然后 LM5122 关闭、 然后再次唤醒并尝试为电容器充电...循环。 此外、M1温度上升。 问题发生在哪里?

    如果 UVLO 引脚被拉至低电平、VIN 引脚应仅灌入大约17uA (最坏情况)。 我认为、将 UVLO 信号拉至低电平然后断开 VIN 引脚会更简单。 当您在重负载下启动时、您应该会进入间断保护模式。 这将导致 LM5122按照您所描述的那样循环。 要禁用此模式、请将 RES 引脚拉至 GND。 如果 M1加热、这可能是由于 MOSFET 选择所致。 请确保所选的 MOSFET 在此电流电平下是正确的。  最好并联一个肖特基二极管、以帮助减少死区时间损耗。  

    在前面的讨论中、我需要在空闲模式下实现低功耗、我发现睡眠模式下的大部分电流消耗为 Rfbt 和 Rfbb、输出泄漏电流以及 LM5122 电流泄漏、即使 UVLO 关闭(因此我在  产品睡眠时切断 LM5122 Vin)、 我刚才附加了下面的修改、这是否合理? 或者需要注意其他任何问题?

    电路看起来合理。 我建议添加一个齐纳二极管来钳制 FB 引脚、因为其绝对最大电压仅为15V。 如果齐纳二极管的电流消耗过大、请尝试在 R141和 FB 节点之间移动 Q1。 这将允许 FB 引脚受到保护、并在电路处于低功耗状态时降低电流消耗。

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    谢谢、

    Garrett

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Garrett:

       感谢您的快速回答、我将根据您的想法尝试修改、对于并联肖特基二极管、您意味着 FET (Q6和 Q7)都需要并联?下图是并联肖特基二极管的正确位置?

    此外、我检查 Mode 引脚说明:

    '当 MODE 引脚电压大于1.2V 二极管仿真模式阈值时、
    启用强制 PWM 模式、允许电流朝任一方向流经高侧 N 沟道
    MOSFET 开关"。

       这是否意味着它将强制 LM5122生成 PWM 而不提供任何警告/断续保护? 我可以在我的案例中提交此修改吗?

    谢谢!

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    Simon、

    如果 Q7器件变热、我建议仅在 Q7上添加二极管。 二极管的位置正确。

    MODE 引脚不控制打嗝模式运行。 这是我在上面提到的 RES 引脚。 要禁用此模式、应将 RES 引脚拉至 GND。 请在 RES 引脚被拉至 GND 的情况下进行测试。 有关所有详细信息、请参阅数据表的第7.4.3节。

    MODE 引脚用于在轻负载条件下选择转换器是在连续导通模式(CCM、)还是非连续导通模式(DCM、电感器电流不能小于0A)下运行。

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    谢谢、

    Garrett