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[参考译文] TPS53014：死区时间和 FET 接通/关断延迟时间

admin
Guru**** 2337880 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS53014
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/627678/tps53014-dead-time-and-fet-turn-on-off-delay-time

器件型号：TPS53014

您好！

 

关于 TPS53014的死区时间(如下)、我的客户提出了一个问题。

 


 

他们将使用的外部 FET 的导通/关断延迟时间如下。

 

 

(问题)

FET 导通/关断延迟时间、

如果这些时间超过死区时间，则2个 FET (高/低侧)可能同时变为“导通”。

因此、FET 可能会被击穿电流破坏。

当选择外部 FET 时、它们应考虑导通/关断延迟时间。

(这些需要的时间小于死区时间。)

我的理解是正确的？

您能否提供有关选择外部 FET 的建议或意见？

 

此致、

Tao2199

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    TI__Guru**** 2337880 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    陶

    对于 FET 选择、我不会担心这一点。 该控制器具有内置的死区时间延迟。 FET 延迟会增加、因此实际上、如果您选择导通延迟更长的 FET、则死区时间会更长、效率会更低。 主要根据您的电流需求和效率调整 FET 的尺寸。 FET 的驱动电压为5V、因此在栅极电压低于5V 的情况下具有低 Rdson 的 FET 或逻辑电平 FET 可提供最佳效率。

    此致、

    Mathew

  • 0
    TI__Guru**** 2337880 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mathew、您好！

     

    感谢你的答复。

    我知道 FET 延迟会增加死区时间。

    我还有另外两个问题。

    (问题)

    (1)死区时间有哪一侧？ (高侧还是低侧？)

    (2)如果 FET 关断延迟时间超过总延迟时间(死区时间+ FET 导通延迟)、

    我想2个 FET (高/低侧)可能同时变为“导通”。

    (请参阅下面的(案例1和案例2)。)

    我认为 FET 关断延迟时间可能需要小于死区时间。)

    请您发表意见或评论吗？

     


     

     

    此致、

    Tao2199

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    TI__Guru**** 2337880 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    陶
    1)是的，死区时间同时用于两者(低->高->低)
    2)是通常情况下、控制器上拉电流和下拉电流很强、以确保 FET 上升和下降时间比死区时间更快。 您可以通过 i=CDV/dt 计算此值、其中 I =上拉或下拉电流、C =FET 栅极电容、dv=栅极电压中的摆幅、dt 为时间、您求解 dt。 如果您选择具有弱驱动电流的极高电容 FET、是的、您可能会遇到您描述的问题。

    此致、
    Mathew
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    TI__Guru**** 2337880 points
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    Mathew、您好！

     

    感谢你的答复。

    我已将您的意见通知我的客户。

    他们提出一个问题。

    ･您是否有最大/最小死区时间数据？

    但根据数据表、这些数据由设计确保。

    是否可以查看这些数据？

     

    此致、

    Tao2199

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    TI__Guru**** 2337880 points
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    通常、如果数据表显示"由设计确保"、这意味着我们没有要共享的特性数据。