[参考译文] LM46000-Q1：LM46000-Q1开关稳压器低 EMI 解决方案

G.J.

空白焊盘用于散热键二极管、如 本原理图所示 (pg4、靠近 CBOOT)、但您不需要这样做。

您添加的电容器基本上创建了压摆率控制。  电容可降低开关节点上的 dv/dt、从而降低 HF 辐射发射。  该实现的缺点是系统效率降低。  您实际上是在以开关频率对该电容器进行充电和放电。  在400kHz 时、0.022uF 至6V (最佳情况)仅在该电容器中就会额外产生160mW。 加上传导 EMI 将会更糟、因为增加的开关电流将为电容器充电。

您可以使用其他方法来降低辐射 EMI。  您可以使用缓冲器(串联 RC、恰好在相同的焊盘上)或通过将电阻器与引导电容器串联(不是太大、最大几十欧姆)来使用压摆率控制。

2.低相位裕度将在任何类型的瞬态期间在输出端产生振铃(请参阅此图)。 过冲幅度取决于其他因素、但稳定时间适用)。  如果瞬变足够极端或组件足够敏感、则会损坏组件。 加上组件的裕度会改变波特图、使相位裕度变差。  我们建议相补角至少为45度。

Sam