[参考译文] BQ76940EVM：定制硬件

您好、Joao、
如 Onyx 所述、bq76200是一款适用于电池应用的 N 沟道高侧驱动器、其参考设计位于 www.ti.com/tool/tida-00792、对于 FET 大部分时间都处于导通状态的低 Rdson 实现而言、它可能是一种不错的解决方案。 即使 FET 处于关断状态、驱动器也具有一些偏置电流。 对于您的问题、是的、您可以使用 N 沟道信号 FET 来控制高侧 P 沟道 FET。 Rdson 可能更高、选择可能更少、但它仅在 FET 导通时消耗电流、因此当 FET 导通时间很短时、它可能是一个不错的选择。 有关 高侧 P 沟道 FET 在故障期间快速关断的示例、请参阅 www.ti.com/lit/sluu474第43页的区域 D5。