[参考译文] TPS54386：TPS54386 EMC 问题- 50MHz 谐波

您好、Bruno、

此频率下的噪声表明它来自 SW 节点上升/下降沿。 幸运的是、您已经包含了用于引导电阻器的与引导电容器串联的占位符、以降低边缘速度。 您可以尝试将0 Ω 电阻器替换为1 Ω 至3 Ω 电阻器。

由于您尝试仅更改组件、因此我建议您尝试使用不同的环流二极管。 不同的肖特基二极管具有不同的反向恢复行为、可能会导致降压转换器产生更多的辐射噪声。

此致、
Anthony

您好、Bruno、

Ω、我不愿意超越数据表上的3 μ s 建议。 我没有参与将此限制输入数据表、但我确信这是有原因的。 我很难确切地说，提高的后果是什么，但它是如下所示的。 启动电阻越大、高侧 MOSFET 导通时的启动电压下降越大。 足够大的压降有可能导致控制电路中的毛刺脉冲、从而导致开关节点上的不稳定行为。

您可以尝试增加 SW 节点缓冲器的强度、而不是将引导电阻增加到3 Ω 以上。 这是通过将缓冲器中的电容从470pF 增加来实现的。 您可能还需要对电阻器进行调优、以更好地优化缓冲器。 您可以使用 EMI 测量或 SW 节点测量来判断哪种值最合适。

还有另一件事需要尝试、但这会导致原理图和 PCB 更改。 我最初没有提出此建议、因为我知道您希望避免这种情况。 如果在每个 PVDD 引脚旁边添加一个值较低的陶瓷电容器、则可以绕过50MHz 以帮助降低该频率下的噪声。 应选择陶瓷电容器、使其谐振频率接近您要滤除的噪声的频率(50MHz)。 我检查了 muRata 的网站、18nF-22nF 电容器的谐振频率应接近50MHz。 这些电容器应该是现有电容器的补充。

此致、
Anthony

您好、Bruno、

您是否最终找到了解决此问题的方法？

Anthony