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[参考译文] bq24600:空载热和电流消耗,与 LODRV、HIDRV、PH、BTST 的图片

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24610
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/640176/bq24600-no-load-fever-and-current-consumption-with-the-picture-of-lodrv-hidrv-ph-btst

器件型号:bq24600
主题中讨论的其他器件:BQ24610

您好,

下面是 LODRV、HIDRV、PH、BTST,无负载具有大约70mA 的功耗、将 Vin 27V,OUT 12.6/500mA

损坏板 BTST、REGN、LODRV 对地短路、LODRV 中的 FET 也会损坏

我们在 TI 的 EVM 上使用相同的 FET

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    使用 PADS 9.5的源文件、或使用.asc、后者没有完整信息。

    e2e.ti.com/.../asc_5F00_BQ24600_5F00_V1.0_5F00_20171101.rare2e.ti.com/.../BQ24600_5F00_V1.0_5F00_20171101.pcb

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    26.2V 输入电压、25V 输出电压、低电压测试,无负载

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    我们将 VCC 的 R1从10Ω μ A 更改为30Ω,μ A、空载电流似乎只有几毫安、但波形也是如此。如果所有这些都正常吗? 还是 PCB 问题? plese 帮我解决问题,谢谢~一个细节和一个答案对我来说更好。
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    不确定我是否理解您的问题。 您是否在问为什么 IQ 为70mA? 或者您的电路板为何损坏?

    当您是指空载时、您是指未连接电池、也没有其他系统负载由 VIN 供电吗?

    您显示的四个波形是什么?  

    这些波形是否在您认为已损坏的电路板上进行了测试?

    当未连接电池时、IC 运行电池检测例程、请参阅数据表电池检测部分。  器件上电后、向 SRN 端子施加8mA 放电电流。 如果电池电压在1秒内降至 LOWV 阈值以下、则放电源将关闭、并且充电器将在低充电电流(125mA)下打开。 如果电池电压在500ms 内升至充电阈值以上、则不存在电池、并且循环重新开始。 因此、有一个125mA (典型值)每1s 运行0.5s。  

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    [引用用户="Jing Zou"]

    不确定我是否理解您的问题。 您是否在问为什么 IQ 为70mA? 或者您的电路板为什么会损坏?—所有这些都是、因为我们知道 IC 太热、会导致损坏

    当您是指无负载时、您是指未连接电池、也没有其他系统负载由 VIN 供电吗?—无负载为无电池、提供 VIN 27V (26.2V)

    您显示的四个波形是什么?  ——我想我已经用 LODRV HIDRV PH BTST 的 PIN 下达了订单,我们认为 LODRV 不是很好

    这些波形是否在您认为已损坏的电路板上进行了测试?-损坏的波形无法正常工作、我们测试了一个"良好"波形、您可以找到一些 BQ246xx 的热示例、我们不知道如何解决它

    当未连接电池时、IC 运行电池检测例程、请参阅数据表电池检测部分。  器件上电后、向 SRN 端子施加8mA 放电电流。 如果电池电压在1秒内降至 LOWV 阈值以下、则放电源将关闭、并且充电器将在低充电电流(125mA)下打开。 如果电池电压在500ms 内升至充电阈值以上、则不存在电池、并且循环重新开始。 因此、有一个125mA (典型值)每1s 运行0.5s。  ——谢谢,我知道8mA 放电电流, 但我们也有65~70mA 的放电电流,在这个问题上,发热是最糟糕的事情,当我们用电池测试充电时,IC 是阻尼。 这是我们的第二个板、相同。 热点问题是我们最大的问题

    因此、我想为您的体验提供一些帮助、从我们的波形图和 PCB 中可以找到一些不好的地方吗? 再次感谢。

    [/报价]

    ——

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    有任何错误吗?
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    e2e.ti.com/.../BA24600-Test-Wave.rar

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    重点是125mA 充电电流、用于测试电池电压是否已充电。 这是一个充电电流、因此从输入中拉出的时间为500ms。

    我使用 PCAD PCB 查看器、但无法打开您的布局文件。

    是否也是来自"良好"电路板的第二组波形? 测试条件是什么。 它看起来与第一组波形不同。

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    1、该电流始终保持

    2、PADS (.PCB)或 Altium Designer (.asc)更好。 它使用 PADS9.5开发

    3、"坏"板在没有测试波的情况下损坏、测试条件与第一个说"设置 Vin 27V,OUT 12.6/500mA"的测试条件相同、第二个说是 SCH 说对于27Vin/252VOUT、所有测试条件都没有接触到电池。

    此外、

    VIN 27V/12.6V OUT 是客户测试、今天我将 R8更改为大约500K、因为同样的条件、即开启、IC 是烟雾抑制器...

    相同的经验可以帮助解决、例如吹气问题:

    (1)http://e2e.ti.com/support/power_management/battery_management/f/179/t/611745?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=LODRV

    (2)

    http://e2e.ti.com/support/power_management/battery_management/f/179/t/599570?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=LODRV
    谢谢~!
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    今天我测试了 VIN,源纹波大约为100mV/229KHz、但 IC 的 VIN 为350mV/229KHz、在730mV/1.8Hz 时、我们在输入电压侧使用330uF、仍然是220mV/229KHz、440mV/1.8Hz

    IC 在没有电池的情况下也会很热、电压范围为27V 至25.2V
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    很抱歉、我不小心单击了"Resolved (已解决)"按钮。 您可以在 Altium 中向我发送设计文件吗? 我将向您发送有关此主题的电子邮件。
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    你(们)好
    ,我检查 PCB、找到两个电容抽取值、然后再将高 mos 放在 mos 之后。 VFB 不与输出线对齐、而是 SRN,、但我们切断了 PCB,上的线路、,飞行了线路链路 FB、输出仍然相同。
    一个要点是、当我使用电压表在 VFB 引脚上放置笔,电流下降,但 STAT LED 亮起,PG LED 闪烁、如0.5Hz。 它是否有助于找出问题?,从何处获取电流...
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    此问题与 MOSFET 的 Qg 有关。

    VCC 上的损耗可按如下方式计算。

    FS (Qg_ls + Qg_hs)= I*t

    I 是 Vcc 上的平均电流消耗。
    T 是电流消耗的持续时间、假设我们查看的是1s。
    fs 是开关频率。

    SIR426DP - Qg 最大31nC

    I = 1.2MHz * 62nC / 1s = 74mA

    2层电路板不足以散热。 请使用4层电路板或切换到具有较低开关频率的 bq24610。
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    我们将尝试使用4层、设计标准且具有良好的 MOS、请参见结果