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器件型号：UCC28740 
输入： AC 220V
输出：24V 直流 2.4A
MOSFET 为 STF18NM80
尊敬的 John：
感谢您回答我的问题。
1，是的、信号是 MOSFET 的栅极。
2，I 对电阻 R63短路、信号相同
3、垂直刻度5V/DIV，我认为信号平台是 由米勒电容引起的，此 MOSFET STF18NM80最大栅极阈值电压为5V、当 VDD = 640V、ID = 17A VGS = 10V 时、Qgd 为40nc
反激式器件的最大频率为65kHz。
ucc28740 功能方框图为：
DRV 特性描述(续)为：
在谷底跳跃模式下、ucc28740的 Vdrv 为：
我购买了一些 AOTF15S65L、 电气特性为：
当 VGS=10V、VDS=480V、ID=7.5A 时、最大 VGS (th)为4V、Qgd 为5.6nc；我将在比较这两个 MOSFET 测试的结果时显示详细信息。
此致。
于。
尊敬的 John：
输入： AC 220V
输出：24V 直流 2.4A
MOSFET 是 AOTF15S65L
您好、yuHJ、
我想您已经完全了解了 MOSFET 导通期间的米勒平坦区。
如果充电电流是固定的(UCC28740典型值为25mA)、则米勒平坦区持续时间取决于充电电流和 FET 的 GGD。
在您的测试 波形中，GGD 越小，米勒时间越短，STF18NM80 大约为2us， 但 AOTF15S65L 大约为200nS。
此外、您还可以发现米勒平坦启动电压(驱动电压)因 Vgs (th)不同而有所不同。
下图可以解释米勒平坦区：
