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您好、TI 团队、
是否有电池在不升高任何安全标志的情况下可以打开 MOSFET 的情况?
即使禁用了 OCD*和 SCD 安全功能,电流也非常大,我们面临着这样的问题。
感谢您的参与。
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Andria、您好!
是的、很抱歉。
在20us 期间、当负电流在不确定的时间内接近-25A 时、我们观察到在大约20A 的正电流尖峰后的截止情况
下面是我们的安全设置:
"Settings","Protection","Protection Configuration","062a","Hex" "Settings","Protection","Enabled Protections A","bc","Hex" "Settings","Protection","Enabled Protections B","33","Hex" "Settings","Protection","Enabled Protections C","00","Hex" "Settings","Protection","CHG FET Protections A","98","Hex" "Settings","Protection","CHG FET Protections B","15","Hex" "Settings","Protection","CHG FET Protections C","56","Hex" "Settings","Protection","DSG FET Protections A","e4","Hex" "Settings","Protection","DSG FET Protections B","e6","Hex" "Settings","Protection","DSG FET Protections C","e2","Hex" "Protections","OCC","Threshold","6","mV" "Protections","OCC","Delay","127","3.3 ms" "Protections","OCC","Recovery Threshold","-200","mA" "Protections","OCC","PACK-TOS Delta","2000","mV"
最好
Robin
尊敬的 Robin:
感谢您发送该信息。 看起来您已启用 OCD 和 SCD 保护、因此 如果超过这些阈值、安全状态寄存器应显示故障。
您能否在过流事件期间捕获 BQStudio 日志文件? 请在设置中设置更快的 I2C 速度、并尽可能设置250ms 采样率。
为此、请执行以下操作:
最棒的
Andria
尊敬的 Robin:
是的、我同意缺少安全标志是奇怪的。 此外、我查看了您的日志文件、并注意到样本之间的时间存在问题。 采样间隔为4秒、此时应每250毫秒进行一次记录。
您能否再次检查您是否完成了我在上一篇文章中给出的步骤? 此外、您可能 需要设置高级视图、然后取消选中与此测试无关的所有参数旁边的记录框。 下图显示了这方面的一个示例:

要设置高级视图,请转至 Window -> Preferences -> All Global Settings ->选择 Show advanced view 而不是 show basic view。
最棒的
Andria
尊敬的 Robin:
BQ76942根据 SRN 和 SRP 引脚上的压降确定 OCC 与 OCD。 对于 OCD、电流流入 BAT-、而对于 OCC、电流 方向相反。 您可以在下面 BQ76942数据表的表中看到、OCC 和 OCD 的压降具有相反迹象。

您能否发送另一个日志文件以确保设置了更快的设置、从而每250毫秒而不是每4秒记录一次数据? 如果您将设置配置为250毫秒、那么每4秒记录一次数据会很奇怪。
更快的收集时间对于确保我们不会错过任何快速寄存器更改、这些更改可以指示 安全状态和缺少标志发生了什么情况。
最棒的
Andria