大家好、
我有一个使用 LM5045的直流/直流设计、其中 HS1引脚将电流灌入接地。 HS2引脚工作正常。 我更换过 IC 一次、问题仍然存在。 但在再次替换之前、我要问组合是否曾看到过这种行为。 为了研究这个问题、我在高侧 MOSFET 1的漏极中安装了一个8R2的保护电阻器(请参阅原理图)。 如果没有该电阻器、MOSFET 将烧毁。 使用该电阻器时、栅极驱动器看起来一切正常。 2侧始终正常工作。 即使断开电阻负载、问题仍然存在。 它与晶体管的上升/下降时间无关(这可能会在某些 MOSFET 中触发击穿)。 如示波器照片中所示、HS1路径似乎接地。 实际上、LM5045变热、HS1上的电压斜坡似乎指示了一些具有热行为的内部电阻。 当电路断电时、我确实使用万用表测量 HS1与地(HS2与地)之间的电阻、二者显示的值相同、为4.4k Ω。 这确实意味着接地效应是来自内部电路的有源响应、而不仅仅是短路(内部或 PCB 中)。 此外、具有相同电阻值的 HS1和 HS2在器件电路中似乎没有明显的差异。 该器件似乎在所有时序和响应均符合预期的情况下正常运行。
COMP 输入悬空、因为我移除了变压器、整个次级侧在此算例中毫无意义。 无论如何、COMP 保持开路的 LM5045只会进入50%占空比、可以研究它的行为。 原理图是实际原理图的简化复制、以显示本研究期间正在运行的内容。 包括未使用的电路只会增加此帖子的噪声。
必须明确、无论负载是有无负载、都会发生这种行为。 因此、电流不会流经下侧 MOSFET 2。 电流也不会流经下侧 MOSFET 1。 它关闭(如图中的信号 B 所示、并在电路中测量、只是为了确保)。
当上侧 MOSFET 2导通且下侧 MOSFET 1导通时、负载上的电压显示正确运行。 因此、即使 HS1在内部接地、在此阶段下 Sidfe MOSFET 1处于活动状态、也会将 HS1接地、因此该问题不会影响运行。
我可以再次更换设备、但想知道我是否犯了一个我看不到的荒谬错误。 IC 是在大约6个月前从 DigiKey 购买的、我认为它不是假冒的。
是否有线索？
提前感谢您。
此致、
Augusto Einsfeldt
在保护电阻器就位的情况下、栅极电压看起来是正确的。
保护电阻器电压显示了流经上部 MOSFET 的电流。
