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[参考译文] LM5066:6个 MOSFET 的驱动问题

Guru**** 2595805 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5066

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/757308/lm5066-driving-issue-for-6pcs-mosfets

器件型号:LM5066

您好!

使用 LM5066驱动6个并联 MOSFET 时遇到驱动问题。

下面显示的波形通道为输入电压(CH1)、输出电压(CH2)和 Vgs (CH4)

如果输出负载为0A、则 MOSFET 的 Vgs 信号平稳上升。

当输出负载为2~5A 等小负载时、Vgs 信号会在一段时间内达到 MOSFET 阈值电压、然后 MOSFET 的 GS 和 DS 会烧坏。  

但是、如果我使用1psc MOSFET 并 在 GS 端子上添加一个电容器、以模拟6个 MOSFET 的相同 Ciss。

输出消耗功率时、MOSFET 绕线不会烧坏。

如何检查 我是否可以支持6个或更多的 MOS 并联?

谢谢。

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    尊敬的团队:

    客户正在使用此 MOSFET:
    FDMS2D5N08C-D
    BR
    Kevin
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    尊敬的团队:

    原理图:

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    您好!

    我将检查并在下周回来。

    此致、
    Rakesh
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    尊敬的 Tseng Albert:

    欢迎使用 E2E!

    RA289的用途是什么? 除了原理图中显示的100uF 外、是否还有其他电容?
    您能否填写设计计算器并发送给我进行审核? 可从 www.ti.com/.../toolssoftware 获取

    此致、
    Rakesh
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    尊敬的 Rakesh

    我有两 种方法来驱动 MOS、一种是 LM5066、另一种是模拟电路。   

    RA289用于 我的模拟电路 、可在 驱动器不工作时确保 VGS=0V。

    输出电容仅为100uF。

     设计计算器作为附件。

    e2e.ti.com/.../LM5066I_5F00_Albert.xlsx

    谢谢。

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    尊敬的 Tseng Albert:

    您能否使用 RA289检查启动情况。 器件 LM5066的充电电流仅为20uA、因此栅源极之间的10kOhm 可能不允许栅极电压升高。
    您能否同时分享完整的原理图、我将查看设计表。

    此致、
    Rakesh
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    尊敬的 Tseng Albert:

    您是否有机会在没有 RA289的情况下进行测试?

    设计计算器显示了用于设计的较差 SOA、请考虑使用更强的 FET、如 PSMN4R8-100BSE

    此致、
    Rakesh