[参考译文] 降压转换器中的功率 FET#39；s 导通电阻

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/758695/power-fet-s-on-resistance-in-buck-converters

您好、TI 支持团队、

我在一些降压转换器器器件中观察到、高侧 FET 导通电阻高于低侧导通电阻(在 TI 器件的几个数据表中观察到)。
根据我的理解、高侧 NFET 受基板偏置效应的影响、而低侧则不受此影响。因此、高侧 FET 导通电阻看起来高于低侧。

您能否确认我的理解是否正确？如果没有、您能否分享背后的原因？

谢谢、此致、

Arpan Gupta

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2595770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Arpan、

这是一个可能的原因。许多转换器对低侧和高侧开关都使用 P 沟道 FET。许多宽输入电压范围转换器在低侧使用电阻较低的 FET、因为典型占空比较低、并且低侧 FET 在开关周期的较长部分处于导通状态。芯片尺寸面积与 FET Rdson 成正比。对于这些低占空比应用、与具有中等距离 Rdson 的相同尺寸 FET 相比、在低 Rdson 低侧 FET 和高侧 FET 上使用更大的 RDS 更有效。我希望这有助于澄清您的问题。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2595770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 John：

感谢您的澄清。

此致、
Arpan Gupta

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] 降压转换器中的功率 FET#39；s 导通电阻