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[参考译文] BQ40Z80：DSG MOSFET 具有关断延迟

admin
Guru**** 2590660 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50-R1, BQ40Z80

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/756934/bq40z80-dsg-mosfet-has-a-turn-off-delay

器件型号：BQ40Z80
主题中讨论的其他器件：BQ40Z50-R1、

您好！

我按照 BQ40Z80 EVM 原理图制作了测试板、发现 DSG MOSFET 在 CUV、OC 测试期间具有关断延迟。 当我移除 C15、C16电容器时、它工作正常、无关断延迟。  VCC 引脚上是否需要200pF 电容器？ BQ40Z50-R1 EVM 原理图中没有电容器。

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    TI__Guru**** 2590660 points
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    您是否移除了 PACK 引脚上的电容？ 电容 C6？ 这将缩短 DSG FET 关断时间。 Vcc 上的另外两个电容是必需的。
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    TI__Guru**** 2590660 points
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    您好、Batt、
    是的。 我已通过测试删除了 C15+C16+C6或 C15+C16或 C6、但仅删除了 C15+C16即可缩短 DSG FET 关断时间。 在 VCC 引脚上需要两个电容器有什么问题或原因？
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    TI__Guru**** 2590660 points
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    我认为、在高电压下进行滤波和开关瞬变时都需要这种滤波器。 我将通过系统确认这一点、如果是这样、请在此处回复。
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    TI__Guru**** 2590660 points
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    我们与系统工程师进行了检查、Vcc 上的电容应不会影响 DSG FET 的关断。