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器件型号：BQ28Z610 尊敬的 TI 成员：
我正在构建一个工具，使用 MCU 针对我们的生产线校准 BQ28z610，
我已经阅读了校准表并构建了一个粗工具。
然后、我有一些有关校准的问题。 请在以下方面提供帮助：
1、电压校准：当我将新增益(电芯增益、BAT 增益、Pack 增益)写回 DataFlash 时，这些新增益将需要多长时间才会影响 DAStatus1中的值？ 因为、我尝试 在立即写入增益后读取 DAStatus1。 但在这种情况下，结果对校准不是很好。
2、cc 失调电压和电路板失调电压校准： 根据数据表，不 需要 cc 失调电压和电路板失调电压校准，只 能观察到失调电流。 然后、 失调 电流 和电路板失调电流是多少？
3、电流校准：当我进行电流校准时、某些芯片很难 实现良好的电流精度- 3mA 增量、然后是1000mA 负载。 但是、当我运行一 个自动 CC 偏移命令(0x0013)并再次进行电流校准时 、芯片的性能良好。 为什么会发生这种情况？
4、关于编程：I 编程地址0x4000 -数据闪存的0x5FFF、符合 SREC 文件(在 ROM 模式中)。 编程后、某些芯片在地址0x40C1 (CC 自动偏移)中具有与 SREC 文件不同的值、所有其他值相同。 好像芯片执行自动 CC 偏移命令，但我没有发送命令。 那么、这是正常情况吗？
谢谢
