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[参考译文] TPS50601-SP:Vos 和 Ib 值

Guru**** 2589245 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS50601-SP

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/755523/tps50601-sp-vos-and-ib-values

器件型号:TPS50601-SP

我最初将此查询发送到 TI 网站上的技术咨询链接。 他们指示我将其发布在这里、以获得答案。

请参阅您的 TPS50601-SP 数据表、图11 (SS-VSENSE)偏移与温度间的关系、以及表7.5中的 SS/TR 至 VSENSE 匹配参数。 由于未提供误差放大器 Vos 参数特性的数据、 我假设图11和 SS/TR 到 VSENSE 匹配参数是您的 Vos 特性、对吗? 如果是、这是否具有30mV 的典型值和90mV 的最大值以及 Tol、temp、line 和 radiation effects? 其中有多少是 Tol 和 rad? 图10、慢启动充电电流与温度间的关系以及表7.5中的 SS 充电电流参数是否是同一误差放大器的输入偏置电流(IB)参数字符? 我假设这是灌电流、典型值为2.5uA。 是这样吗? 您能否为 IB 提供最大值?

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    嗨、Mitch、

    SS/TR 至 VSENSE 的跟踪不是 Vos。
    SS/TR 至 VSENSE 跟踪是一个启动特性、说明 SS/TR 和 VSENSE 之间的接近程度。

    我们不为 TPS50601-SP 的误差放大器指定 IB 或 Vos

    谢谢、
    Daniel
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    丹尼尔:

    由于误差放大器的 Vos 和 Ib 可能很大、并且会影响转换器的输出电压调节、因此我需要它的一些特性、至少容差、温度和辐射效应、以确定转换器调节输出的效果。 您根本没有测试数据或特征评定数据?

    谢谢、

    Mitch
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    嗨、Mitch、

    我没有这些值的测试数据或特征数据。

    请注意、我没有有关这些值的数据的部分原因是电压基准的+/-%精度中包含了 Vos。

    由于器件是 MOSFET 器件、因此 Ib 也非常小、与基准电压的1.258%精度相比、通常没有影响。

    谢谢、

    Daniel