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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/755123/lm5145-about-high-side-fet-and-low-side-fet
您好！ 您能给我讲一讲 LM5145EVM-HD 吗？ 此评估板使用不同类型的 Q1和 Q2。 请告诉我原因。 客户想要参考设计原因。
此致、 Yusuke
您好 Yusuke、
由于 LM5145具有较大的降压比、 因此低侧 MOSFET 具有更长的导通时间、并且为了最大程度地减小[I2 * R]导通损耗、低侧 MOSFET 具有更低的 RDSON (4mΩ Ω)。
高侧 MOSFET 具有更短的导通时间和导通损耗、因此使用具有更低栅极电荷 Qg 的 MOSFET 来更快地导通 FET 并降低开关和栅极电荷损耗。
这是否能回答您的问题？
－奥兰多
