[参考译文] UCC28780：UCC28780 TDM

你(们)好
为什么我提出这个问题？ 因为在调试期间、我发现 TDM 时间是 ABM 中第一个 PWMH 的变量、但 TDM 在 AAM 中基本是恒定的。 这意味着在 AAM 下、TDM 可被调谐为稳定、但在 ABM UCC28780中、始终尝试调谐至适当的值。
因此、我想知道什么决定了 ABM 中的第一个 PWMH 时间。
请帮您解释一下。

同样在 LPM 中、什么决定了第一个开关周期的 PWML 关断时间？

ABM 数据包中 PWMH 的第一个脉冲与下一个脉冲不同、因为第一个 PWML 不在有源钳位控制上、而是 DCM 反激式。 这可能会使事情有所不同。 您的钳位电容器值是多少？ 您使用的是一次谐振还是二次谐振？ 您是否测试了我们的 EVM？ 在 ABM 中、它在第一个 TDM 和其余 TDM 之间看起来非常一致。 因此，在设计中应该需要调整一些东西，例如钳位电容器值。

您好！

钳位电容器与 Si ACF EVM 3件*0.33uF/X7T 陶瓷电容器相同。

我的设计使用二次谐振、我没有 EVM 板。

EVM 用户指南的图10显示 了第一个 TDM 和剩余的 ABM、第一个 TDM 最小、4/5最长之间的一些差异。

我同意您的观点、第一个 PWML 是 DCM 反激式、如何理解您所说的第一个 PWMH 的区别？

您能详细解释一下吗？

谢谢！

下面是用户指南中的图10。 它似乎没有20%的差异。 您如何得出20%的差异(或4/5、这意味着？)

您的二次谐振电容值是多少？ 您能否提供原理图供审核？

如果您复制了 EVM 的钳位电容器值、您是否复制了其他所有内容？ 如果不是、则需要进行一些修改。 尤其是、您的变压器规格是什么-为了了解您的设计、我需要查看您的变压器。

"我同意您的观点、第一个 PWML 是 DCM 反激式、如何理解您所说的第一个 PWMH 的区别？ 您能详细解释一下吗？"

请参阅数据表的第25页和图25。 在每个突发数据包期间、PWMH 和 PWML 的数量不同、这会导致 TDM 上出现一些差异。 但根据 EVM、差异并不明显。

你(们)好
抱歉、我的意思是第一个脉冲 TDM 最小、但4/5表示第三个和第五个脉冲 TDM 最长。
我想说、UCC28780一直在尝试调节 TDM、直到获得适当的 TDM 值、我的理解是否正确？
如果是这样、ABM 中应该有一个原始(第一) TDM、对吧？
哪个因素决定了原始 TDM？

你(们)好
此设计是采用 PD 的65W Si ACF 设计。 磁电感器为115uH。
原理图无法发出。
二次谐振电容为4个*33uF/25V 陶瓷电容。
钳位电容器是3*33uF/250V 陶瓷电容器。
输出扼流圈和输出聚合物电容器与45W EVM 相同。
你怎么看？

你(们)好
图25显示了第一个 TDM 和其余 TDM 之间没有差异、所有 TDM 均用于 ZVS。
那么、什么决定了原始(第一) TDM？

有关自适应 ZVS 控制、请参阅数据表第21页的第7.4.1节。 每个突发数据包中的第一个 TDM 由 PWMH 有效时的前一个突发数据包确定。

您可能需要在高压线路输入(设计中的最高输入电压)和满载条件下调整 RDM 和 RTZ、以确保获得最佳 ZVS。 钳位电容值看起来正常、但如果变压器匝数比 NPS 不同、则可能需要进行调整。

你(们)好  

非常感谢。 我只想知道"当 PWMH 有效时、每个突发数据包中的第一个 TDM 由之前的突发数据包决定"。

"您可能需要在高压线路输入(设计中的最高输入电压)和满载条件下调整 RDM 和 RTZ、以确保获得最佳 ZVS。 钳位电容值看起来正常、但如果变压器匝数比 NPS 不同、则可能需要进行调整。"

在数据表中、它只建议大钳位电容器不会影响 ZCS。 因此、如果钳位电容器值更大、会更好、对吧？

如果电容器更大、是否有任何副作用？

2.对于最佳 ZVS、其含义是什么？ 工作条件是什么？

3.如果 RDM 和 RZ 设置了超大尺寸，则会出现什么情况？

如前所述、在设计的高压线(最高输入电压)和满载条件下、调谐至接近最佳值。 理论上的最佳表现就像数据表第19页和图18中所示。 如果 RZ 过高、您将看到 VSW 振铃恢复为正、因此需要减小 RZ、以便在 PWML 开启时使 VSW 介于0和几伏之间-这有助于最大限度地降低低侧开关的开关损耗。 钳位电容值和 TDM 需要根据最大程度地减小 PWML 导通时的磁化电流进行调整-这有助于最大限度地降低高侧开关的传导损耗。 如果 TDM 太小、PWML 将在高 Im 时打开、从而产生高导通损耗。 如果 TDM 太大、您可能没有足够的能量来实现 ZVS。

您好！

谢谢。

我同意您对 TZ 的理解、因为 TZ 仅具有100%~140%的范围。 但我不同意 TDM、因为 TDM 没有范围限制、所以 ZVS 鉴别器肯定会调整 TDM 以达到最佳 ZVS。 因此我认为 RDM 配置并不重要，它只有助于使 ZVS 鉴别器尽快找到最佳 ZVS 条件。 你同意吗？

我无法理解您所说的句子"钳位电容器值、并且 TDM 需要根据最大程度地减小 PWML 开启时的磁化电流进行调整-这有助于最大限度地降低高侧开关的传导损耗。"

我的理解是、初级钳位电容器仅会影响到次级侧产生更多电流、因此如果值更高、效果会更好。 你同意吗？

TDM 设置有助于确定在 Im 值和 TZ 时发生的 ZVS。 您可以参考我指出的图、图18。 需要使用较小的 Im 来实现 ZVS、从而更大限度地降低高侧 MOSFET 导通损耗。

钳位电容也会改变电压和电流的形状。

目标是以最小的导通损耗实现 ZVS。

您好！

我同意您的看法、即 TDM 设置有助于确定随 TZ 一起发生的 ZVS。

我的观点是：即使 RDM 的选择不合理，ZVS 鉴别器仍然可以将 TDM 调整为合理的值以实现 ZVS。

由于对 TDM 调节没有限制、 因此 ZVS 鉴别器最终可以将 TDM 调整为正确的值。

因此 RDM 配置并不重要。

你的观点是什么？