[参考译文] LMG1205：具有 MOSFET 的 LMG1205。

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器件型号：LMG1205
主题中讨论的其他器件： LMG1210

您好！

我希望在 LMG1205 @7MHz 下运行半桥 MOSFET。这是否适用于 MOSFET？我使用的是 BSC160N15NS5。

我已经在下面制作了自己的测试板。 (我将 C30更改为2.2uF、1uF)。我没有放置 L4和电容器。我希望先检查输出信号。

但输出信号在以下不是稳定的。它具有7MHz 方波、但信号包络不稳定。此设计的问题是什么？请给我提供建议。

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2380000 points

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您好、Taekyun、

感谢您的发帖、欢迎使用 e2e！！
LMG1205可以栅极高于7MHz 的较小 MOSFET (和 GaN)、还可以考虑更新的表弟- LMG1210、它可以通过可调死区时间控制实现更快的开关速度。
您的应用是什么？功率级别是多少？
SW、HO1或 LO1处的波形是多少？

看起来会发生一些接地反弹、这是尝试获得紧密驱动回路的结果。
好的一点是、接地反弹只会影响驱动器、而不会影响栅极。可以通过一些方法来减少接地反弹、就像在 uC 和驱动器之间的共模扼流圈输入上使用低通滤波器一样简单。

查看图4和图5：
epc-co.com/.../AN015适用于多兆赫兹的 eGaN FET Applications.pdf
另请查看 LMG1210数据表中的第8.2.2.3节：
www.ti.com/.../lmg1210.pdf

此外、还有一些良好的布局技巧、例如：
LMG1205上的 VSS 引脚是否靠近低侧 FET 的源极并具有低电感路径？

谢谢、

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] LMG1205：具有 MOSFET 的 LMG1205。