This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5050-1:电压和电流出现在输入侧

Guru**** 2322270 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1, LM5060
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/589354/lm5050-1-voltage-and-current-appeared-at-input-side

器件型号:LM5050-1
主题中讨论的其他器件: LM5060

[ LM5050-1 ] 输入侧出现电压和电流

您好、专家、

我的客户一直在尝试如下设置的 LM5050-1器件。
通过在试验电路板上进行评估、它们在输出侧具有42V 电压、而在输入侧没有任何电压。
在该设置中、可以在输入侧看到电压和电流。

由于其 FET 的 IDSS 规格约为10uA (最大值)、因此 Vgs 为0V、因此该行为与 LM5050-1有关。




您能评论一下这一发现 、这是否是可能的行为吗?

此外、您是否有任何想法来最大限度地减小输入侧的这些电压和电流?
您是否有任何方法来确定这些电压和电流?

提前感谢您的支持。
此致、
Ken

LM5060:双向负载开关
e2e.ti.com/.../577512

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ken、e2e.ti.com/.../Zero-Leakage-LM5050.pdf

    当 Vs 通电、IN 引脚 如您所述浮动或具有接地路径时、 DS 第7.1节第11页介绍了从 Vs 到 IN 和 GND 的泄漏路径。  为了消除这种情况、Vs 必须断电。 附图与图29不同。  图39显示了 GND 路径、 但会导致更多电流从 IN 引脚流出。 建议使用随附的。  

    Brian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Brian、

    非常感谢您建议使用电路来降低泄漏电流。
    让我尝试正确理解您的电路。

    据我了解、Q4 (用于"VS 禁用"的 FET)用于最大限度地减少流经 VS 引脚的电流输入泄漏、这需要在外部进行控制。 (与 OFF 引脚控制不同)这意味着 如果我们可以接受某种泄漏电流、我们只使用 OFF 引脚。 但是、如果我们需要尽可能减小泄漏电流、例如电池供电应用、则建议使用 VS 引脚控制。 对吧?


    将一个二极管与图29串联在一起、会怎么样?
    您认为这是可行的吗?

    谢谢、
    Ken

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    e2e.ti.com/.../LM5050_5F00_1-Leakage-path.pdfKen、

    您不能在"in"引脚路径中放置二极管、因为"in"与"out"一起用于检测反向电流并调节正向电压。  我们测试了 DS 中的图29、发现通过断开与 GND 的连接、添加了 Q2和 D3、它会将进入 GND 的泄漏电流转移回"in"。  消除这种情况的最佳方法是根据我发送的原理图禁用 vs。  OFF 引脚仅禁用 FET 的栅极、体二极管仍能够正向导通。  如果输入电压低于输出电压、无论如何都会发生这种情况。  LM5050仍然存在偏置、并且仍将存在泄漏。  

    Brian