您好、支持团队、
我将 BQ24650 IC 用于 MPPT 设计， 我已设计为10A 充电电流，并对 数据表中所示的电路进行了设置，但 连接到输出端的锂离子电池不充电。
以下是设计详细信息：
1.Vin 12V
2.Vmpp 17V
3.Icharge 10A
我在 VFB 引脚上获得1.8V 电压、 在 Vmppset 引脚上获得2.4V 电压。
请尽快帮助我解决该问题。
此致-
永博
尊敬的 Ann Lien：
您 建议的电路配置 是否也适用于为24V 15A LiFePO4电池充电？
原因 是 TPS54060的输出为8V 至14V、连接到 UCC27201的 VDD。 在 UCC27201的功能方框图中、HO 和 LO 的输出以 VDD 电压驱动、如果我们连接了24V 电池 进行充电、则高侧 MOSFET 的栅极电压应大于 电池电压、但 HO 引脚 上的最大电压仅为14V。 如果 栅源极电压不超过24V、 电池将如何充电？
请做不必要的事。
此致、
永博。
您好、Swaroop、
很抱歉、您是否可以确认您是否有两种用于24V 和12V 的 LiFePO4电池？ 如果是、则输出 VFB 需要在不同的电压电平之间变化。
我们目前还没有适合您的应用的参考设计、但功能方框图如下所示。 您还可以参阅数据表中的 BQ24650典型设计原理图。 另一方面、您可以在 TI.com 中搜索适合您设计规格的降压转换器。 您有 bq24650 EVM 板吗？ 只要您决定降压转换器、您还可以使用降压转换器演示充电器行为。
此致、
Ann Lien
Ann Lien、
请验证包括电池和系统在内的后级的功耗。 因为太阳能电池板是电池和系统的电源。 对于28V/100mA 电流而言、这足够了吗？
我将 仅包含 图2中图1的 Vcc 偏置电源块(我将使用前面提到的 LDO)、以保护 VCC 和 STAT 引脚、 图2的其余连接保持 不变 、即我不会使用半桥栅极驱动器、电流感应、缓冲器和钳位。
图1：针对高压应用修改的 bq24610电路。
图2：bq24610电路。
让我们知道如何 为 Bq24650设计 EMI 滤波器？
此致、
Swaroop
尊敬的 Ann Lien：
在 我们的设计中整合 EMI 滤波器真的是必要的吗？ 如果是这样，我们必须 采用差模或共模 噪声滤波器?。
请分享 差分模式 和共模 噪声滤波器的设计。
2.对于共模噪声滤波器，有四种类型的配置，哪 一种是 最适合我们应用的套件， 以及如何 配置？ 请查找差分模式或共模 噪声滤波器的不同配置的附件。
3.Bq24560EVM 是否与 EMI 抑制技术相结合？ 如果是、我们可以 对 12V/24V 15A MPPT 设计使用相同的技术吗？
4.Bq24560EVM 是否旨在满足印度的 EMC 标准？ 如果不是 、为了满足印度的 EMC 标准、我们需要进行哪些更改？
6.请解释如何为我们的应用选择正确的正温度系数(PTC)。
请分享 与 我们的应用相关的 EMI、EMI 降低技术和 EMC 标准的链接。
图1和图2分别显示了 HIDRV 和 LODRV 脉冲、如何降低 HIDRV 和 LODRV 波形中的脉冲？
图1：HIDRV 波形。
图2：LODRV 波形。
请 尽快执行必要的操作。
e2e.ti.com/.../Differential-and-Common-Mode-Noise.pdf
报
Swaroop
您好、Swaroop、
问题1：
有关 PCB 布局、请参阅我们的 EVM 布局。 对于测试程序、请以我们的 EVM 板为例、您可以使用 MOSFET (Q1)引脚3 S2 (PGND)作为测试 GND、从而更大限度地减少 GND 布线。
您是否使用 BQ24650 EVM 板进行了测试？ 由于我使用我们的 EVM 板进行了测试、因此没有尖峰、如下所示。
或者您使用自己的设计进行了测试？ 您能否为我们提供原理图和布局、以检查是否有任何可能导致尖峰的因素？
问题2：
图如下所示。 您可以在需要提高尖峰的位置使用它。
问题3：
二极管中没有具体的问题。 您可以在此应用中使用简单的肖特基二极管。
此致、
Ann Lien
尊敬的 Ann Lien：
我已将我们的设计邮寄至 ann_lien@ti.com。 仔细检查一下、 让我知道是否需要 整合任何更改。
请解释以下功能图中突出显示的器件。
更重要的是、我请求 您 深入解释比较器误差放大器。
此致、
Swaroop
尊敬的 Ann Lien
Vcc 电平似乎与 MCU 使用情况无关、对吧？ 您仍然可以将不使用5V 的 MCU 用作 bq24650 Vcc。
MCU 最大 VCC 引脚容差仅为5V。
哪个 VCC 电平与 MCU 使用情况无关？
如何在不使用5V 电源的情况下运行 MUC？
我 没有得到背景。 请说明。
您可以使用 MCU 检测 Vin 电压、并让 MCU 控制外部电路将 Vin 与系统和电池分开。 它可以保护 Vcc 免受过压影响。
您是否将在 上述 行中传达以下信息？ 请确认。
PV 电池板输入 和由 MCU 控制的 BQ24650 VCC 之间连接了一个外部断路器。
MUC 使用 ADC 监测 PV 电池板电压 如果 BQ24650 VCC 上的电池板电压超过28V、则由 MCU 控制的外部断路 器会从 BQ24650 VCC 断开 PV 电源、以保护 IC。
这是否与您 要传送的内容相同？ 如果不是、请使用 方框图解释您的设计信息。
随附的是 具有 MCU 控制功能的外部断路器的方框图。
e2e.ti.com/.../CIrcuit-breaker.docx
电压是单向的、 下面的电路中对二极管的需求是什么？
2.您是否查看了我 邮寄的原理图？ 你的反馈是什么？
3. 在电路中使用两种 GND 的原因是什么 ，即使这两种 GND 是互连的？
此致、
Swaroop
您好、Swaroop、
由于 bq24650具有使用 Vcc 来确定 ACOV 阈值的输入过压保护(如下所示)、因此当输入电压超过32V 时、它无法为电池充电。 因此、您可以设计30V~32V 的截止阈值以保护 Vcc 引脚。
谢谢、
Ann Lien
您好、Swaroop、
1.您能详细描述这个问题吗？ 并绘制同样的波形、如 SRN、SW、PVCC、REGN、IL。
2.是的，你可以。 请遵循以下数据表中的指南：
11.1布局指南必须尽可能缩短开关节点的上升和下降时间、以最大限度地降低开关损耗。 为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题、必须对组件进行适当的布局以最大限度地减少高频电流路径环路(请参阅图24)。 以下是正确布局的 PCB 布局优先级列表。 必须按照此特定顺序进行 PCB 布局。 1.将输入电容尽可能靠近开关 MOSFET 电源和接地连接放置，并使用最短的覆铜线迹连接。 这些器件必须放置在 PCB 的同一层上、而不是放置在不同的层上、并使用通孔进行此连接。 2. IC 应靠近开关 MOSFET 栅极端子放置、栅极驱动信号布线应保持短接、以实现干净的 MOSFET 驱动。 IC 可放置在开关 MOSFET PCB 的另一侧。 3.将电感器输入端子尽可能靠近开关 MOSFET 输出端子放置。 最大限度地减小该迹线的铜面积、以降低电场和磁场辐射、但使迹线足够宽、以承载充电电流。 不要为此连接并行使用多个层。 最大限度地减小从该区域到任何其他布线或平面的寄生电容。 充电电流感应电阻器必须放置在电感器输出旁边。 将跨感应电阻器连接的感应引线布置回同一层的 IC、彼此靠近(最大限度减小环路面积)、并且不要将感应引线穿过高电流路径(请参阅图25了解开尔文连接以获得最佳电流精度)。 将去耦电容器放置在 IC 旁边的这些布线上。 5.将输出电容器放在感应电阻器输出端和接地端旁边。 6.输出电容接地连接需要连接到与输入电容接地连接的铜缆上，然后再连接到系统接地。 7.将模拟接地与电源接地分开布线，并使用单个接地连接将充电器电源接地连接到充电器模拟接地。 IC 正下方使用模拟接地覆铜、但应避免电源引脚、以减少电感和电容噪声耦合。 将模拟接地连接到 GND 引脚。 使用散热焊盘作为单个接地连接点来将模拟接地和电源接地连接在一起、或者使用0 Ω 电阻将模拟接地连接到电源接地(在这种情况下、散热焊盘应连接到模拟接地)。 强烈建议在散热焊盘下方使用星形连接。 将充电电流方向更改为 SRP 和 SRN 引脚 R SNS 更改为电感器更改为电池电流感应方向版权所有
2016、德州仪器(TI)公司高频电流路径 L1 C1 C2 C3 PGND SW VBAT VIN BAT 版权所有2016、 德州仪器(TI)公司29 bq24650 www.ti.com SLUSA75A–2010年7月–2016年4月修订产品文件夹链接：bq24650版权所有2010–2016、德州仪器(TI)公司提交文档反馈布局指南(续) 8. IC 封装背面的外露散热焊盘必须焊接到 PCB 接地端。 确保 IC 正下方有足够的散热过孔、连接到其他层上的接地层。 9.去耦电容必须放置在 IC 引脚旁边、并使走线连接尽可能短。 10.过孔的数量和物理尺寸对于给定的电流路径而言必须足够。
