[参考译文] TPS28225：无线充电设计中的性能提升

您好、Graham、

感谢您在设计中考虑使用 TI。 我会尽力为您提供帮助。

在大多数情况下、原理图看起来不错、但从高侧栅极到模拟接地的10k 电阻器除外。

您是否会提供一些更多详细信息、例如启动、稳态、负载瞬态等故障运行模式...？

您是否有一些可以共享的波形？

功率 MOSFET 是否也会在驱动器出现故障时发生故障？

通常、一个或多个规格违规是驱动器故障的原因。

我建议在驱动器的每个引脚发生故障之前、在运行条件下开始获取其波形。

让我们在您了解更多详细信息后再进一步了解这一点。

此致、

Ritesh

您好 Ritesh、

感谢您的回复、我将移除两个10K 电阻器。

驱动程序在打开一段时间后失败。 FET 仍然存在。

我将获取一些波形图。

谢谢、

Graham

这里是示波器图、其中+FET_PWR 设置为+2V。

引脚1

引脚2

引脚3

引脚4

引脚5

引脚6&7

引脚8

谢谢、

G

在我进行任何测量之前、U14今天早上再次爆炸-将+FET_PWR 设置为3V。

您好、Graham、

感谢您的测试。

您似乎没有使用常规示波器、例如 Tektronix 或 LeCroy。

我相信您正在使用一些系统机器来收集数据、然后绘制数据。

如果是这样，则该方法在诊断问题时不会很有用。

这些测量值是否相对于驱动器的引脚4 GND？

我注意到、即使总线电压设置为2V、相位引脚仅显示1.5V。

除非高侧 MOSFET 具有500mV 的压降、否则这似乎并不正确。

接地端也似乎有+/-0.2V 交流噪声。 它不是太大、但如果实际负振幅较大、则可能会导致更高的基板电流。

我还注意到、在 VDD 与 GND 之间没有本地旁路电容器。 这对于任何栅极驱动器 IC 都必须、因为大多数峰值驱动器电流来自该旁路电容器。 在某些工作条件下、VDD 或 BOOT 上的实际峰值电压可能高于允许的值。

同样、我强烈建议使用高频示波器和探头来测量这些电压、以便我们有更好的了解。

绝对电压电平足够低、可导致任何损坏。 我认为瞬时电压可能是高电平或负电压、从而导致损坏。

您提到该部件可以正常工作一段时间、然后损坏。 系统是否处于完全稳定状态、或者此时发生了什么不同的情况？

您的故障率是多少？ 换言之、您迄今为止使用的所有驱动器最终是否都损坏了？

您是否在打开系统后尝试监测驱动程序的外壳温度？

我希望这能为您提供更多的测试想法。

此致、

Ritesh

您好 Ritesh、

感谢您的回复。

我正在使用 USB Picoscope。 这是不好的吗？

是的、所有测量值都是相对于引脚4 GND 而言的。

每个 FET 驱动器有1 x 100nF 和1 x 470nF、这还不够吗？

系统在运行时处于稳定状态、然后出现故障-系统中没有变化。

是的、到目前为止所有 U14驱动程序都失败了。 U14似乎更容易出现故障。

我只监测了外壳温度以进行触摸-电路工作时良好、但在器件发生故障时为红色热。

谢谢、

Graham

您好 Ritesh、

是的、电容器就在驱动器旁边、位于同一侧。

他们在使用大约一小时后都失败了。

我将在线圈的两侧尝试电容器-谢谢。

您能解释一下这里的意思吗？请-我不能理解：使用两个外部偏置电源提供高侧偏置、并将其保持在大约1V 的高电平、以便内部自举二极管反向偏置。

我们在相位引脚上观察到了较大的尖峰：

您建议我们如何减少这些尖峰？

谢谢、

Graham

还请您解释相位引脚的绝对最大额定值、数据表令人困惑。

谢谢、

Graham

您好、Graham、

我相信大家都知道、高侧 MOSFET (以相位节点为基准的 MOSFET、而非接地端)的电源电压是使用自举技术生成的(有一个连接 VDD 引脚和 BOOT 引脚的内部自举二极管。 当以接地为基准的低侧 MOSFET 导通时、该二极管为从 BOOT 连接到相位的自举电容器充电)。
要查看自举电路是否存在任何问题、我们需要将其消除。
消除此问题的方法是在 BOOT 和 PHASE 之间连接一个外部实验室电源、电压设置为比 VDD 高1V、以便内部自举二极管反向偏置。 您需要为两个驱动器使用两个不同的电源。
然后测试电路并查看驱动器是否出现故障。 我希望这一点比以前更清楚一点。
相电压最大额定值为 VBOOT +0.3-VDD、其中 VBOOT 是 BOOT 引脚上的电压、通常为 VDD + Vbus。
您是否检查过驱动器上的引脚是否短路？

此致、
Ritesh