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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/569983/lm5116-emulation-diode
大家好！
仿真二极管如何工作？ 如果我想提高轻负载时的效率，我可以将 Rdemb 设置为0欧姆：但在这种配置中 ，低侧 MOSFET 是否始终关闭？ 电流是否仅在 体二极管中流动？
或者在输出电流增加 以减少耗散时对低侧 MOSFET 进行引导 ？
谢谢
此致
Simone
您好、Simone、
是的、当 Rdemb = 0时、器件将始终处于 DEM (DEM = FET 关断、体二极管充当非同步降压的再循环二极管)...
这对轻负载下的效率很有利、但随着负载的增加、切换到同步拓扑更好...
有关如何计算 RDEMB 的详细信息、请参阅 电子表格 或使用 Webench
kr
Vincenzo
您好 Vincenzo
感谢您的合作。
首先，我考虑了您的解释：当我设置 Rdemb=0时，低侧 MOSFET 充当轻负载二极管。 但是 、我看到低侧 MOSFET 的栅极在输出负载下约为1A。
在轻负载条件下、低侧 FET 和二极管似乎工作、但并非在每个负载条件下。 借助于高负载输出、低侧 FET 被引导为完全同步模式。
我在 PCB 中看到的是什么吗？
提前感谢
Ciao Vincenzo、
没问题！！
我在 PCB 上看到的就是这样的情况：LM5116在异步模式下工作、直到电感器电流变为负(DCM)、然后 当降压转换器处于连续电流模式时、LM5116在同步模式下工作。
通过这种方式、我在轻负载条件下具有优势(更低的输出纹波电压)、在高负载条件下具有良好的性能(高效率)。
现在，我有疑问： 如果 Rdemb=0，我在 DCM 和 CCM 条件下都能获得良好的性能， 那么什么时候可以在完全同步的情况下使用 LM5116呢？
我希望你能帮我、因为我找不到这个问题的答案。
