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[参考译文] BQ76930EVM：无源平衡的外部 MOSFET 要求

admin
Guru**** 2318830 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25310Q2
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/591184/bq76930evm-external-mosfets-requirements-for-passive-balancing

器件型号：BQ76930EVM
主题中讨论的其他器件：CSD25310Q2

您好！  

关于 BQ76930 EVM 上用于外部被动均衡的 MOSFET、器件规格(即 FDY1002PZ -双路 P 通道) 是否支持约1.1V 的低电池电压 (对应于近放电状态)、是否可以在此电压范围内驱动 MOSFET？

目的是在非锂离子电池上使用此硬件。

非常感谢。

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    TI__Guru**** 2318830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Theo、

    EVM 上的 P 沟道 FET 是 CSD25310Q2和 TI 的 NexFET 技术。 请参阅 FET 特性。  VGS 与 Rds-on 曲线将具有详细信息。

    TXS

    Vish

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    TI__Guru**** 2318830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    再次非常感谢。 因此、我能否向您确认用户手册的原理图不是最新的(图27、第45页)(附带了片段)、并且 EVM 使用单个 CSD25310Q2 P 沟道 FET、而不是所示的双路 FDY1002PZ。