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[参考译文] UCC27531:UCC27531DBV

Guru**** 2310570 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27531
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/589525/ucc27531-ucc27531dbv

器件型号:UCC27531

您好、E2E 支持团队、

目前、在我的其中一个设计中、我使用 UCC27531DBV MOSFET 驱动器将24V 电源切换到负载。

根据该器件的真值表、当 EN 和 IN 两个引脚均为低电平有效时、OUTH 应为高阻抗状态、但我发现 OUTH 值为7.5V。

这样、我的 P 沟道 MOSFET 会导通、但它不会导通???

下面是电路图的快照:

当 IN 和 EN 引脚均为低电平时、我们可以在 OUTH 引脚上期望多大的电压?

当 PS_EN 信号被驱动为低电平时、T12 MOSFET 被关闭、所以 T1也应该被关闭。

当 PS_EN 信号被驱动为高电平、并且 IN 仍然为低电平时、根据真值表、我们将在 OUTH 引脚上获得高阻抗、但在这种情况下、ALSOT1被打开。

然而、当 IN 和 EN 引脚都驱动为高电平时、T1 MOSFET 会关闭-这符合真值表-并且设计为以这种方式工作。

请解释 UCC27531DBV 的这种行为?

此致、

Rajesh

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    您好、Rajesh、

    感谢您考虑将 TI 器件用于您的设计、我将尽力帮助您解决此问题。

     移除 R11后、您是否在 UCC27531的 DRVH 引脚处测量了7.5V 电压、以确保泄漏电压通过驱动器而不是通过 R8、R74和 T12寄生效应?

    由于输出为高阻抗、如果存在流经 R8、R74和 T12的泄漏电压、那么我相信 T1将导通、因为栅极电压将低于 PMOS 的源极电压。

    如前所述、当 EN 和 IN 均为高电平时、DRVH 会接近 VDD 值、这样 PMOS 的栅极就会高于源极、因此 PMOS 会关闭。

    请告诉我您的调查结果。 同时、我将与我们的设计团队一起查看是否存在任何内部泄漏部件、或者它只是驱动器内部上拉 FET 的输出电容。

    此致、

    Ritesh

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    您好 Ritesh、

    感谢您的快速回复。

    我移除了 R11并在 DRVH 引脚上测量了电压、它大约为2V、T1未导通(其栅极为24V、表明通过 R74和 T12没有泄漏)

    当安装 R11并移除 R74以隔离 T12时、我发现 OUTH 引脚为7.5V。

    让我感到惊讶的是、即使安装了 R74、也不会改变 OUTH 引脚上的电压、并且 T12是导通(我验证 T12漏极为0V)还是关断(T12漏极经验证本身为7.5V、 显示 T12关闭时没有负载)。

    我还验证了组装部件的顶部标记为7531、请参阅所附的图像。
    您是否在内部检查过此问题?

    您是否需要任何其他信息、请告诉我?

    此致、

    Rajesh

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    您好、Rajesh、

    感谢您提供这些测试结果。

    我相信有一个由 R8、R11、R74、T1和 T12的寄生阻抗、以及从 VDD 到 OUTH 以及从 OUTH 到 GND 的驱动器内部阻抗组成的阻抗网络。

    我已经要求我的设计团队来看看、但可能需要一些时间才能让他们回来。

    同时、当您更改可控制的阻抗值时、您可以看到电压的影响、即 R8、R9、R11、R74、 R142、CK4

    此致、

    Ritesh  

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    您好、Rajesh、
    我与我们的设计团队讨论了这个问题、发现驱动器在数据表第20页中所示的上拉 NMOS 的栅极处有内部7V 齐纳二极管。 当电压超过7V 时、需要使用该齐纳二极管来保护栅极氧化物。
    我相信、如果将 OUTH 和 OUTL 连接在一起并将它们连接到 R142、您可以实现您尝试实现的功能。 当然、移除 R11。 这样、当 T12打开时、负载开关将打开、当 T12关闭时、负载开关将关闭。
    请告诉我、我还能提供什么帮助。
    此致、
    Ritesh