[参考译文] UCC27531：UCC27531和 UCC27201应用问题

温勇

我已经查看了您提供的两个电路原理图。

对于单方向电机应用、我最常看到单端低侧方法。 如果采用这种方法、则必须添加与电机并联的二极管、并将阴极连接到 BAT_18V。 该二极管将为电机的电感反冲返回电池提供安全路径。

在了解半桥电路导致 MOSFET 故障的原因时、我有一些建议要去看看。 首先、确保设计的电流需求适合所选 MOSFET 的连续电流额定值。 这也适用于低侧驱动方法。 接下来、我将关注升压电源。 用示波器查看它、并验证 HB-HS 是否达到所需的电压并保持其相当恒定。 同时确保 HB-HS 至少达到12V、以便最好地导通高侧 FET (为了获得最佳性能、请参考 FET 数据表第1页)。 升压转换器的(接地参考)输出电压是多少？ 在 HI/LI 引脚上施加一个接通信号前、确保升压输出存在并且稳定。 如果 HB-HS 电压过低、高侧开关将不会导通、或可能会在线性区域导通、从而导致更高的传导损耗/热量。 升压转换器以多大的频率运行？ 电机是进行脉宽调制、还是仅在100%开启或关闭模式下运行？ 如果是 PWM、请分享电机 PWM 与升压转换器之间的频率和相移。

在任一设计中、确保栅极驱动串联电阻器的大小可实现 FET 的快速导通。 如果电阻过高、FET 关断速度会很慢、并会导致开关损耗增加。

还应确保为驱动器的 HB 电源和 VDD 引脚使用旁路电容器。 用于导通 FET 的电荷的初始突发由这些电容器提供。 有关电容选择和放置建议、请参阅驱动器数据表。

我希望这篇文章能帮助您继续。

此致、

Daniel