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我不确定这是否是正确的论坛、但标题中有 GaN。 ^μ A)
我们为 S 频带应用制造和设计高功率脉冲 GaN 晶体管。
为了提高效率、我们在射频脉冲之前对栅极进行脉冲。
因此、我需要的偏置电压应保持低于 Vgs (Th)(-5V 左右)、并可通过门控增加至-1.2V 左右、而-1.2可针对器件变化和温度进行调节。
是否有解决方案的想法？ 我们的电容非常低、因此峰值电流很小、但在高射频驱动水平下、我们可以通过器件输出的电流实现整流。
