主题中讨论的其他器件: CSD17510Q5A、 CSD18510Q5B、 CSD18512Q5B
我创建了一个由 CSD17510Q5A (高侧)和 CSD17312Q5 (低侧)提供24V 输入电压的同步整流电路。
其开关频率为500kHz。
我的电路的开关节点处有可测量的振铃、其峰值电压约为35V。
超过30V 的峰值持续时间小于5ns、其峰值不是"平顶"。
我认为 CSD17312不处于雪崩模式。 对吗?
我的电路中的 MOSFET 是否存在任何问题?
此致
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我创建了一个由 CSD17510Q5A (高侧)和 CSD17312Q5 (低侧)提供24V 输入电压的同步整流电路。
其开关频率为500kHz。
我的电路的开关节点处有可测量的振铃、其峰值电压约为35V。
超过30V 的峰值持续时间小于5ns、其峰值不是"平顶"。
我认为 CSD17312不处于雪崩模式。 对吗?
我的电路中的 MOSFET 是否存在任何问题?
此致
我们确实推出了40V 器件 CSD18510Q5B、听起来它将非常接近您的规格。
4.5Vgs 时的典型电阻约为1.3m Ω(可能最大值为1.6)、栅极电荷约为60nC、略高于目标值。 或者、两周前发布的 CSD18512Q5B 在最大2.3m Ω 时将略高于您的电阻规格、但略低于您的栅极电荷规格。
在我看来、您的 FET 不处于雪崩模式。 由于存在一些分布、一些 FET 的 BVDSS 比其数据表额定值高几伏。 但我们无法保证下一个30V FET 的运行方式相同。