您好！
我需要使用电流限制为30-40mA 的此 IC。 我有 Rsens 1.3Ω 和 Rpwr 100kΩ。
当电压约为18-35V 时、一切正常、但当电压达到约36、4V、电流为22、7mA 时、在0.5 ms 后断开热插拔电源、但在长时间后首次运行时、需要大约1分钟的时间。 我尝试将10nF 增加到20nF 作为 CGS、但它没有帮助。 工作时、栅极上的 V (峰-峰值)约为1V。
我应该怎么做？
您好、Jan、
欢迎使用 E2E！ 我们不建议超过100m Ω 的 Rsense 值(数据表第12页顶部)：
其主要原因是环路稳定性。 如果您使用较大的 Rsense、控制环路可能会变得不稳定 、并且您会在栅极上看到明显的振荡迹象。 您可以尝试继续添加额外 的 CGS 电容器、直到振荡消失、然后再增加一倍以获得设计裕度。 但是、这将大大减少开启和关闭时间的响应时间。
此外、我不确定您是否知道、但我们的团队已使用此器件创建了这些易于使用的设计计算器工具。 您可以通过访问 www.ti.com/hotswap =>单击“工具与软件”=>然后单击“热插拔设计计算器工具”来找到它。
为了帮助填写 Excel 电子表格中的单元格、我们的团队创建了有关如何填写热插拔设计计算器电子表格的视频教程。 它们逐个单元格说明每个单元格的含义以及如何输入正确的值。 视频位于 www.ti.com/hotswap =>单击“Support & Training”选项卡。
我希望这对我有所帮助:-)
此致、
Aramis P. Alvarez
您好、Jan、
很遗憾听到 Rsense =100mOhm 时的电流限制过高:-(
就 CGS 的最大值而言、我们 通常不建议使用100nF 以上的任何值。 这是因为添加额外的电容器会产生更多能量、这些能量必须通过2mA 栅极下拉 FET (IC 内部)耗散。 添加额外的 CGS 电容器会给下拉电流源造成更大的损坏风险。
此外、FET 因电流/功率限制或短路事件而关断的响应时间也会显著延迟。 由于关断时间较慢、可能会超出 FET 的 SOA 曲线并可能损坏。
为了计算栅极关断的响应时间、我们使用 i = C*dV/dt。 对于电流/功率限制事件、I = 2mA (查看下面数据表中的 EC 表)、DV =(12V + Vin)和 C =(CGS 电容+ FET)。 通常、FET 可能具有大约10nF 的 CGS 电容器。 如果我们没有添加任何 CGS 电容器、则电流限制/功率限制的关断时间为：
DT = C*DV/I =(10nF)*(12+36)/2mA = 0.24ms。 这是故障计时器设置之外的额外时间
如果我们额外添加100nF 的电容、关断时间将为2.64ms、数量级更高。 如果我们要使用1uF CGS 电容器(不推荐)、则关闭时间将为26.4ms (是的！！！)。
为了恢复、我们的团队不建议 Rsense 值超过100m Ω。 但是、如果您的应用需要更高的 Rsense 值、我的同事在不添加任何额外的 CGS 电容的情况下测试了低至143mA (Rsense = 385m Ω)的电流限制。 此 E2E 主题中显示了测试结果： https://e2e.ti.com/support/power_management/power_interface/f/204/p/414861/1474412#1474412
我希望这对您有所帮助、
Aramis P. Alvarez
