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使用 GaN FET 缓解振铃/振荡的一个好解决方案是使用负栅极偏置(-3V)进行关断。 您的器件可以满足这一要求(LM5110)、但我强烈希望 LM5113具有半桥驱动能力。
是否可以将 LM5113配置为使用负栅极偏置进行驱动? 例如、我能否简单地将栅极驱动器的接地电位降低3V 相对于半桥接地、实质上将 LM5113上的"GND"引脚视为"VEE"
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使用 GaN FET 缓解振铃/振荡的一个好解决方案是使用负栅极偏置(-3V)进行关断。 您的器件可以满足这一要求(LM5110)、但我强烈希望 LM5113具有半桥驱动能力。
是否可以将 LM5113配置为使用负栅极偏置进行驱动? 例如、我能否简单地将栅极驱动器的接地电位降低3V 相对于半桥接地、实质上将 LM5113上的"GND"引脚视为"VEE"
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您好、Joel、
我想提请你注意几点,然后再尝试区分理由:
将这两个电压分开、会使栅极环路电感大得多、这可能会使目的落空、因为您很可能会遇到接地反弹增加的情况。
2.无论您在栅极上产生的负振铃是什么,此偏置会进一步推至负,从而为 Vgs 的负 Abs-max 留出更小的裕度。
缓解 栅极振铃/意外导通的首选方法为:
1.设计栅极环路时应尽可能小,通过使用微过孔和层间距小于5mil 的层2回路,您可以得到3-5nH 的电感,从而减少振铃
添加一些电阻以抑制 LC 并略微降低压摆率
如果米勒比不理想、您可以在栅极与源极之间添加一些小电容(通常这不是首选选项!)
此致、
Alberto
您好、Joel、
首先、我想提醒您、将6V 电压连接到 Vdd 高于建议的最大工作条件5.5V。
在较高电压下运行可能会影响器件的运行和使用寿命以及对器件的任何保证(即、您在超出规格的情况下运行该器件)。
现在、如果您想使用更高的电压进行实验、我建议使用外部肖特基二极管将 Vdd 引导至 HB、 并在二极管后面添加一个串联的 LDO 钳位、以将 HB 电容器检测到的电压限制为您决定选择的电平。
如果您不想添加 LDO、HB 上的齐纳钳位将提供类似的保护。 在这种情况下、您必须添加一个与自举二极管串联的2-5ohm 电阻器以限制峰值。
此致、
Alberto