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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/588597/lmg5200-parallel-usage-in-half-bridge
您好！
我的客户询问使用并行连接作为附件的风险是什么。
您能检查一下、如果使用并行连接时有任何风险、请让我访问 know.e2e.ti.com/.../LMG5200-Quesion.xlsx
此致、
Nuboo 您好、
不建议并联多个 LMG5200。
其主要原因是：
如果死区时间(DT)未设置为考虑器件之间最坏情况下的传播延迟不匹配、则可能会在一个 LMG5200的高侧 FET 和另一个 LMG5200的低侧 FET 之间发生交叉传导。
即使 DT 足够大、器件之间的变化也会导致其中一个 LMG5200首先切换。 该器件将消耗连接到此节点的所有其他 FET 的所有累积输出电容损耗。
缓解这种情况的一种可能方法是在 LMG5200s 之间拆分电感器、从而有效地使其成为多相转换器。 可以使用较小的电感器来分离相位、使用较大的电感器来提供直流滤波。
Alberto
您好、Alberto、
感谢您的快速而专业的回答！
