您好！
有一个带 BQ24610的 PCB、原理图如 EVM 中所示。 当我插入6S 锂离子电池时、会烧毁一个肖特基二极管和一个低侧 MOSFET BQ24610、没有交流适配器。 两个原型板中的两个。 多年来、我在这里看到几个具有相同或类似情况的线程、但没有适当的故障排除支持。 你们真的能提供帮助吗？ 该 IC 看起来是您声誉的真正麻烦制造者、我考虑 从 您在线性技术/模拟器件领域的朋友那里切换到 LTC4013。
嗨、Tommy、
测试设置：无交流适配器、无负载、仅使用 BQ24610和6S 电池(实际电压为22V)。
电感器电流未知。 它应该从电池流向电感器的什么位置？
原理图与 EVM 相同、肖特基二极管- ZLLS350TA、如 EVM 中所示。
低侧 MOSFET 是 FDS8447、与 EVM 中的情况类似。
下面是我的想法：
BQ24610 DS 要求绝对最大额定值：pH 最大电压为36V、VCC 为33V。 我想、在电池插入时可能会出现这样或更高的尖峰(尤其是在5S-6S、全新且充满电的情况下)。 由于 TVS 二极管的额定电压必须为28V、因此几乎没有空间找到保护性 TVS 二极管(在 BATDRV 打开 P-MOS 时不会损坏、在电池不存在时、交流适配器的电压将位于 BAT 连接器处)、 同时、TVS 应抑制不超过33V 的尖峰。 只需查看 TVS 数据表。
LTC4013在相关引脚上的额定电压为60V、我想 、LT/AD 上的人知道原因。
另 一个较弱/可疑的地方 是 由 HIDRV 驱动的 N-MOS 的栅源电压。 HIDRV 将栅极连接至 GND、当我们连接 22V 充电电池时、栅极-源极电压为-22V、高于大多数 MOSFET (包括 EVM 中使用的 FDS8447)的+-20V 绝对最大额定值。 P-MOS 在上面提到的死掉的邻居中看起来很活跃、但显然这不是一种使用不符合规格的组件的好方法。 如果我们考虑尖峰、情况会变得更糟。
嗨，Tommy！ 我没有修改、我的原理图就像在 EVM 中一样。
我用 BQ24610和捕获的 VBAT 电压牺牲了第三个 PCB。
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BQ24610 即使具有外部保护功能、也无法承受现实生活条件。
