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主席先生，
我的负载板中的 MOSFET 损坏。 我想知道电路板的导通顺序，即+/- 11V，通道的控制信号和输出电压。
尼亚斯里达斯
您好、Nithiadas、
是的、序列是首先提供+-11V、然后是控制信号、但保持低电平状态。 之后、将所需的电压轨连接到输出、然后开启控制。
我要说、很难分解 MOSFET。 负载直流负载过长可能会导致过热和损坏 MOSFET、但除此之外、设计非常可靠。
您的 MOSFET 在什么情况下发生故障？
BR、Jari
我给出了250 mV 的控制信号连续用于测量5A 负载。 输出电压为2 V。我想将此电路板用作同步降压转换器的负载。
它是否仅用于瞬态响应分析？
该板专为瞬态负载波形生成而设计、着重于快速上升/下降时间。 当然、它也可以处理一定程度的直流负载、但该电路板的10W 连续负载已经非常高。 如果我们希望具有连续直流负载和一些负载瞬态、我们使用功率电阻器来添加直流负载。
先生
我的应用是额定功率为30W 的48V 至1V POL 同步降压转换器。 因此、根据我在讨论中的理解、这不能用作恒定负载。 那么、您能否建议使用任何方法来测试该转换器。 此外、可施加的 LOA 瞬态的最大占空比是多少。
该负载板用于负载瞬态测试、不是最佳的直流负载测试解决方案。 我们通常用于直流负载有源负载阵列器件和/或源表单元(SMU)灌入负载电流。
想法是将占空比保持在负载板不会过热的水平。 很多时候、例如1/100就足够了。
还有一个问题、可能的最短导通持续时间是多少。 负载板可承载的最大功率是多少？
最小脉冲持续时间取决于上升/下降时间。 我们在高达8A 的负载电流下实现了80ns 的上升/下降时间。 这意味着在该负载电平下、的最小脉冲可以小于200ns。
限制因素是取决于 MOSFET 温度的 MOSFET 功率耗散。 如果我们在70度的 Ta 70 C 下进行最坏的情况、我们只能处理2W 的电流。 如果关断周期足够长且平均功率耗散未超过 MOSFET 限值、则占空比较低的情况下负载可能仍然很高。
