[参考译文] TPS61089：系统效率较低

您好、Helen 和 Jasper、

□的电感器 I 为 LVS8040L-2R2 Δ-AU。 电感为2.2uH、测试频率为100kHz、1V、DCR 为12m Ω、 Isat 为7.2 (6.30) A、IRMS (A)为 7.3 (6.40)、容差为 20%。

布局已附加。  它是一个4层电路板。 电路板顶层/底部覆铜、L2/L3中覆铜、厚度分别为2oz 和1.5oz。

我曾怀疑布局是否能够支持足够的电流。 但我在1A、2A、3A 上测试输出电流。 效率是类似的。 效率为83%@ 5V/3A。 Mostt 约为77%。

我 测量了 Vin 处的输入电压和 Vout 处的输出电压。

谢谢

BR

任

感谢您的更新。

您测试输入电压和输出电压的位置是什么。 因为我发现输出 GND 通过6个非常小的过孔进行连接。 过孔将具有大电阻。  我建议您直接在 IC 的顶部、输出电容器处测试 Vo。

2.您在哪个地方测试了 Vin？

2.我没有找到您所用的凹口材料，您知道什么类型的磁芯材料吗？

您好、Helen、

我测量了电感器上的 Vin。  它是我板上的 VSYS。

我在 Vout 电容器上测量了 Vout。 它是电路板上的 Vout_A。

接地端是电路板上的 PGND。 PGND 是 GND 层上的大平面。 输出 GND 有6个导孔连接到第2层。 过孔为12mil 孔。 在我们的实践中、它已经足够大了。 通常、我们使用8mil 过孔。

我不知道、因为数据表中没有磁芯材料的信息。

谢谢

BR

任

谢谢。 你的测试地点还可以！

您能否与电感器供应商联系以获取磁芯材料信息？

您好、Helen、

很抱歉 、我以前得到了错误的 PN。

正确的 PN 是 ATNR8040M2R2MT,这里是信息. 请检查。

谢谢

BR

任

您好、Helen、

我按如下方式测试热性能：

当我测试12V/1.5A 时、芯片温度上升至97并重新启动十次。

请检查一下。

谢谢

BR

任

您好、Helen、

我不认为低效率是由布局直接导致的。 当电流很小时、效率也很低。 5V 1A、5V 2A 和5V 3A 没有很大差异。 5V 1A 的电流正常。  

该 EVM 具有更好的热 数据、因为它有很大的散  热空间。 但 我需要将 BQ25703和 TPS61089、BQ 2973、INA199和其他芯片置于具有4层的60x30mm 电路板中。

现在、我发现了一些可能由其他器件引起的线索。 我现在正在尝试找到它。

谢谢

BR

任