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[参考译文] TPS51206:地址线变化时的高 VTT 电压变化

Guru**** 2341440 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51206
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/630343/tps51206-high-vtt-voltage-variation-at-address-line-changes

器件型号:TPS51206

您好!

我只想澄清一下我的 VTT 电压变化是否常见。 原理图显示了我连接 TPS51206的方式(与数据表相同)。 n`t 地址线发生变化、我会看到80mV 的电压变化、如果这是正常行为、我不会找到任何信息。 DDR4存储器运行完美。

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    您好!

    原理图显示 VTT 上只有一个10uF 电容器。 该电容是否接近 TPS51206或 DDR? 您在何处测量 VTT 电压?

    VTT 纹波取决于 VTT 电容、布局和测量。

    10uF 是使 VTT 电压稳定的最小电容。 为了减少纹波、可能需要更大的电容。

    此外、我建议为 VLDOIN 添加更多电容器。

    谢谢

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    电容器非常靠近(< 5mm)(TPS51206和端接岛)。 我在 VTT 电容器上测量。
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    什么是 DDR 电流?

    如果布局良好、我建议首先增大 VTT 电容。

    谢谢