[参考译文] BQ24133：辐射发射失败

您好！

您发现的两种解决方案都适用于此问题。 我还建议尽可能减小转换器的布局、使输入电容接近高侧 FET (PVCC)。 电感器、感应电阻器和输出电容器应尽可能靠近 SW 节点。 RC 缓冲器是一种快速查明其是否正常工作的方法、因为它是一个分流电路、因此您可以刮擦电路板表面并将其连接到 GND 网络。

如果您要更新布局、除了添加 RC 缓冲器外、我还建议向 BTST 添加0 Ω 串联封装以调试 EMI。

此致、
Steven

大家好、Steven、

感谢你的建议。 我将在下一个 PCB 版本中尝试这些解决方案。

您好！

  我没有更新原理图、但我正在进行一些测试。 与 www.ti.com/.../pmp4397上的参考设计相同、我添加了 R 10欧姆和 C 0.01uF 的缓冲电路。

我确实可以使用频谱分析仪观察辐射发射衰减、但仍然存在问题。  根据下面 ROHM 半导体的应用手册、R 的功率由 C*Vin^2*f 计算

其中 C 是缓冲电容值、Vin 是输入电压、f 是 BQ24133的工作频率

e2e.ti.com/.../Snubber-circuit-for-Buck-Converter-IC.pdf

当 C = 0.01uF、Vin = 10V、f = 1.6MHz 时、R 的功率为1.6W、这是如此大的功率。 从参考设计的 BOM 中可以看到、缓冲器 R 为 CRCW080510R0JNEA、额定功率为0.125W、远小于1.6W。 这是可以的吗？ R 是否会在长时间充电过程中被破坏？ 或者无法使用附件中的公式计算 R 的功率？

您好！

  我更新了原理图，在 SW 上添加了一个 RC 缓冲器，在 BTST 上添加了一个0欧姆电阻器。 还有其他问题吗？

e2e.ti.com/.../6523.Power.pdf

您好！

  由于电阻器消耗的功率与整个充电过程中电容器的值 P=C*V^2*f 成正比、并且具有高输入电压和电容器值、 因此电阻器消耗的功率将很大。 例如、在 TI 参考设计 PMP4397中、当 C = 0.01uF 且假设 V = 10V 时、P = 1.6W。 我认为0603、甚至1206电阻器都无法满足功率比要求。 当我使用0603电阻器进行测试时、它会很快变得很热。

  但是、对于我的值 R=4.7欧姆且 C =390pF、0603电阻器将以较低的 EMI 衰减为代价工作。