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[参考译文] VDD IGBT 或 MOSFET 的建议运行条件

admin
Guru**** 2330840 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/625543/recommended-operating-conditions-of-vdd-igbt-or-mosfet

您好！

您能不能告诉我 TI 产品的栅极驱动器。

IGBT 应用和 MOSFET 应用之间为何 UCC 27712等栅极驱动器的 VDD 建议工作范围不同？

此致、

YUto Sakai

  • 0
    TI__Guru**** 2330840 points
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    您好 Yucto、
    我是 TI 的应用工程师、将致力于解决您的问题。 MOSFET 应用中预期的实际使用栅极驱动电压预计为10V 至12V。
    对于 IGBT 应用、栅极驱动电压预计可能高达15V。

    预计两个推荐范围都将为评级提供裕度。
  • 0
    TI__Guru**** 2330840 points
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    您好、Richard - San、

    感谢你的答复。
    我们的客户计划在 MOSFET 应用中使用 VDD = 18V、但在这种情况下是否可用？

    请注意、
    YUto Sakai
  • 0
    TI__Guru**** 2330840 points
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    您好 Yucto、

    对于 MOSFET 应用、我们建议工作最大电压为17V VDD。 客户是否有理由使用18V 电压？ 通常、10-12V 足以将 MOSFET 驱动到低 RDS ON。

    此致、

    Richard