主题中讨论的其他器件:EV2400、 BQSTUDIO
我已校准和创建数据存储器参数集。这些参数是在生产过程中由主机 UC 写入存储器的。 它在大多数 ME 设备中工作正常。 但在少数几个器件中、存储器写入过程中出现了问题。 现在、在闪存中有一些奇怪的数据、内存是块。 我尝试从我的 UC、甚至从 Batery Mangement Studio (通过 EV2400)执行多次存储器写入过程、并且存储器未响应。 将数据写入数据块(从0x40开始)并将校验和写入0x60之后、我会读回存储器、并且它不会改变。

