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[参考译文] BQ27742-G1:数据闪存被阻止

Guru**** 2409980 points
Other Parts Discussed in Thread: EV2400, BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/658478/bq27742-g1-data-flash-memory-blocked

器件型号:BQ27742-G1
主题中讨论的其他器件:EV2400BQSTUDIO

我已校准和创建数据存储器参数集。这些参数是在生产过程中由主机 UC 写入存储器的。 它在大多数 ME 设备中工作正常。 但在少数几个器件中、存储器写入过程中出现了问题。 现在、在闪存中有一些奇怪的数据、内存是块。 我尝试从我的 UC、甚至从 Batery Mangement Studio (通过 EV2400)执行多次存储器写入过程、并且存储器未响应。 将数据写入数据块(从0x40开始)并将校验和写入0x60之后、我会读回存储器、并且它不会改变。

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    您好!
    您通过主机对器件进行编程时、必须有一些问题导致器件具有错误的数据。 您是否查看过我们的监测计通信应用手册、以确保在对器件进行编程时遵循正确的程序?

    www.ti.com/.../slua801

    您是否尝试使用 bqstudio 对 guage 进行编程、因为这样可以确保正确编程、而不会出现任何问题。

    谢谢
    Onyx
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    您好!  

    谢谢您的回答。 我的回答是肯定的:)

    我的编程 方式与本文档中的编程方式完全相同。 我的主机固件 能够对其他器件进行编程、但有几个器件被阻止。 我尝试使用 bqstudio 对它们进行编程、但这也失败了。  

    此致

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    您好!
    当您将此器件与 bqStudio 连接时、您是否能够与它们进行通信。? 如果是、请发送注册屏幕的屏幕截图。

    如果无法通信、则必须更换 IC。 您用于对芯片进行编程的文件、您是如何提取的? 您是否使用 bqStudio 和 EV2300提取了内容? 如果是 EV2300、您的 EV2300上的固件版本是什么?

    谢谢
    Onyx
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    您好!

    是的、我可以通过 bqstudio 或我的固件与 BQ 进行通信。 我可以读取和写入寄存器。 当我向数据存储器写入(使用选择闪存块过程)时、我甚至可以读回相同的数据。 但是、在密封/解封循环存储器后、未发生变化。 和 bqstudio 有着相同的历史:(

    一般般 内存被阻止。

    bqstudio 中的照片。

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    如果您密封一次仪表、则永远不能返回到解除密封状态。 您只能对默认 srec 返回到该状态进行编程。 您需要处于解锁和完全访问模式、才能完全访问器件数据闪存

    谢谢
    Onyx
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    您好!

    Thx。 当然、每次尝试编程时、我都会解封器件、并在控制状态下检查密封状态、它处于完全访问状态。 仍然无法写入闪存。

    此致

    皮科

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    你(们)好
    您能否共享寄存器窗口的屏幕截图

    谢谢
    Onyx
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    给你。

    此致

    皮科

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    尊敬的 Piko:
    设置 INV_chksum 标志。 这意味着您没有为保护器正确配置校验和。 请参阅器件 TRM 的第2.2.2.1节。 您需要发送 PROTECTOR_CHKSUM 命令、返回的值将是实际的校验和。 MSB 将为1、因此被写回的结果是您将在数据闪存的保护校验和字段中进行编程、但没有 MSB 值。


    谢谢
    Onyx
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    您好!  

    好的。 我做到了。 我读回相同的值、我将写入存储器(0x09)、但就像我 之前写的那样、我无法向闪存写入任何内容。  

    我可能会放弃这个主题。 它只是两个器件、因此浪费了时间。  

    非常感谢您的帮助、

    此致

    皮科

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    最好重新编程器件上的默认 srec、然后对包含校验和在内的正确设置的 gg 文件进行编程。
    谢谢
    Onyx