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器件型号：TPS22969 主题中讨论的其他器件： TPS22990、 TPS22975
Tina 瞬态分析中类似的更稳健的 NFET 电路显示、在所有瞬态模式下、470k 电阻 负载测试中、通过 DS 的浪涌电流矢量极小。 理想电路 在 NFET 上使用 ICL (R4)、并将栅极导通延迟1-1.5秒 、直到 C3、C4电容器 恰好高于中间电源 电压 ERGO (90-163v)。 NFET 直接替代 ICL 上的笨重继电器无触点旁路接地、在这种情况 下、TPS 输出电压斜率控制可能会消除对 ICL 的需求。
ICL 现在在 导通状态 NFET 上保持无功状态、并确保 控制从接地到高达40安培的瞬态反向电流。 除非 HV 电容器突然短路、否则40安培看起来似乎不合理、否则会出现任何高于几个电容纹波电流放大器或(dv/dt)的电流。 瞬态分析显示 、当163v 突然打开时、在 NFET DS 上连接250/500 Ω 电阻器时、浪涌电流小于700mA。
如果输出(源极)接地且输入(漏极)面向负载、则低于-0.3V 的 dv/dt 槽会破坏 TPS22969 NFET 吗？ 其次、是否有 Tina 宏可用于仿真电路运行？
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