[参考译文] BQ34Z100-G1：I2C 通信问题、SCL 线路被随机驱动为低电平大约4.5[ms]

尊敬的 F. Baumgartner：

在将值写入数据闪存时、监测计最多可能需要25ms。

如果您认为该时钟拉伸有误：

您能否向我发送发生此事件的逻辑分析仪输出？ 还请在时钟拉伸事件之前添加并成功执行的命令。

运行逻辑分析仪时、还请发送一些与逻辑分析仪数据一致的示例截图、以便也可以探索模拟效果。

如果此事件是随机的、并且未与特定的命令序列相关联、请发送几个示例。

此外、为了帮助重现和诊断事件、请发送 gg.csv 文件和日志、其中包含与上述逻辑分析仪快照相对应的突出显示行。

此致、
Bryan Kahler

尊敬的 F. Baumgartner：

感谢您提供详细的示波器截图-沟通看起来不错(时钟拉伸除外)。

在实验室中进行一些测试后、我为您提供了一个快速过程、可帮助您排除数据闪存写入：

作为测试、在 EVM (非生产板)上、请将器件设置为单节电池模式(可以使用默认 Gg、设置跳线和 VOLTSEL)。  验证是否仍然可以看到时钟拉伸。

使用3.8V 为电路板供电。 接下来、将 闪存更新正常电芯电压修改为4000mV。  在 bqStudio 中、请单击"Read All"以确保设置了该值。  确认该值已正确设置后、尝试修改 DataFlash 中的另一个值并再次单击"Read All"、但验证该值是否未设置。  确认该值未设置后、请重新运行测试以确定器件是否仍处于时钟拉伸状态。

如果时钟拉伸已消失或已被减少、这将确认时钟拉伸实际上是由于器件写入 DataFlash 所致。

测试完成后、请将器件电压增大至4200mV、并将 闪存更新正常电芯电压设置回先前的值。

请告诉我这些测试是如何结束的-如果时钟拉伸仍然存在并且无法排除 DF 写入、请同时向我发送一个日志文件、我将尝试在实验中进行复制。

此致、
Bryan Kahler