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[参考译文] CSD15380F3:数据表上的最大漏源泄漏电流

Guru**** 2347060 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD15380F3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/614808/csd15380f3-maximum-drain-to-source-leakage-on-datasheet

器件型号:CSD15380F3

你(们)好。

我正在研究一个需要极低泄漏小信号 N 沟道 MOSFET 的应用。 据我所知、CSD15380F3具有任何 TI MOSFET 中列出的最低最大 IDS (如果我错了、请纠正错误)。

我希望能够清楚地了解50nA 数字的保证有多牢固。 如何通过测试或设计获得? 如果通过测试、它是三西格玛值还是其他值?

最后、可在25摄氏度下保证50nA 的数值。是否有任何数据可用于略微升高的温度? 我需要低泄漏来长期存储器件、理想情况下、器件将存储在室温下、但夏季在凤凰城的非空调仓库中总是存在风险。

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    正确的50nA 是我们的最低额定 IDS 泄漏值。 其原因是这一数值低至我们可以在生产中测试的水平-我们的所有器件都经过了室温下 IDSS 泄漏测试、并达到了该限值。

    如果可以、我们会测试更低的值、但由于我们没有该功能、因此 IDSS 的典型值与数据表中指定的限值(>>>3 sigma)之间存在相当小的裕度、但我们无法保证数据表值之外的任何值。

    如前所述、测试是在室温(Ta = 25deg)下进行的、我们希望此参数随温度的升高而增加。

    因此、对于75摄氏度、我们看到测量结果比25度数据增加~6%。 但该曲线呈指数级、因此对于125deg 数据、25deg 泄漏增加了2.5x 倍。

    希望这有助于回答您的问题。 所有这些话都说过、我认为在一个温暖的仓库中、您不会看到与典型值有太多偏差。

    最后、我认为这适用于医疗应用。 我只想提醒一下、目前没有计划将 CSD15380F3用于标准商业应用之外的应用。
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    谢谢 Brett、这满足了我的问题。 此部件应该适用于我的应用。 我总是喜欢检查限制何时很重要、因为我之前被另一个半导体制造商的产品烧过一次(他们有一个数据表声明的最小值、我根据这个值、 但它仅通过"设计"得到保证、未在实际晶圆芯片上进行测试-实际性能比数据表中指定的限制要差得多)。

    了解商业评级-通常自行承担风险。

    再次感谢!