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器件型号:CSD15380F3 你(们)好。
我正在研究一个需要极低泄漏小信号 N 沟道 MOSFET 的应用。 据我所知、CSD15380F3具有任何 TI MOSFET 中列出的最低最大 IDS (如果我错了、请纠正错误)。
我希望能够清楚地了解50nA 数字的保证有多牢固。 如何通过测试或设计获得? 如果通过测试、它是三西格玛值还是其他值?
最后、可在25摄氏度下保证50nA 的数值。是否有任何数据可用于略微升高的温度? 我需要低泄漏来长期存储器件、理想情况下、器件将存储在室温下、但夏季在凤凰城的非空调仓库中总是存在风险。
谢谢!