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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/638327/tps22990-long-delay-time-at-td
你(们)好
我的客户有疑问。
客户确认在创建的电路板上有很长的延迟时间 在 TPS22990 μs 中、延迟时间"TD"被指定为大约24 μ s。 但是、客户电路板的延迟时间约为2ms。
e2e.ti.com/.../TPS22990.pdf
是否有任何可想象的因素？ 由于客户很忙、我希望您尽快回复。
最恰当的考虑
T Kishi
尊敬的 T Kishi：
在没有 CT 电容的情况下、TPS22990的延迟时间预计会低至24us。 但是、延迟时间随上升时间而变化、因此如果添加 CT 电容、则会增加延迟和上升时间。 例如、如果上升时间增加10倍、则延迟时间也将增加10倍。
谢谢、
Alek Kaknevicius
您好报价
感谢你的答复。
在数据表中、当 CT = 0pF 时、它符合以下规格(@1.05V) TR=12US (典型值) TD=24us (典型值) 该时间 TR 约为3ms。 (当 CT = 0pF 时、为250乘以 TR) 在您看来、我认为客户规格中的 TD = 6ms。 不过、测量结果约为2ms。 (约83次) 是否有任何其他公式用于检查 TD？
注意事项
大家好、T. Kishi、
下表显示 了有关延迟时间与 CT 电容的实验数据：
使用此数据、可以推导出以下公式：
延迟时间(us)= 0.0139 x CT (pF)+ 24.1
如果您有任何疑问、请告诉我。
这似乎比我预期的要远。 负载开关输出端的负载条件是什么？ 我已经看到高电容或电流负载可能会对延迟时间产生影响。 我提供的数据是 CL = 0.1uF 且 RL = 10Ω Ω、因此如果您的条件远高于延迟时间、预计会增加。 有关这方面的更多信息、请查看我们的计时应用手册：
www.ti.com/.../SLVA883
你(们)好、Alek
感谢您提供信息。
请允许我向您提出问题。
客户也会使用 TPS22975。
对于 TPS22975和 TPS22990、CT 是否会增加 TD 时间？
TPS22975的行为方式与 TPS22990相同。 CT 的增加也会增加 TD。
您在寻找什么输入电压信息？ 我碰巧在下面有1.8V 和3.3V 信息(时间以微秒为单位)：
VIN = 1.8V
VIN = 3.3V
0pF
73.
75
220pF
206.
215.
470pF
316
3334
1000pF
509.
552.
2200pF
965
1088
4700pF
1803
2048
10000pF
3976.
4531.
使用此数据，可以使用以下两个公式来估算 TD (对于 CT>0pF)：
VIN=3.3V：TD = 0.438 x CT (pF)+ 104.4
Vin=1.8V：TD = 0.382 x CT (pF)+ 112.2
我非常感谢你的答复。
您能告诉我们以下条件下的计算公式、以便将来继续招聘？
e2e.ti.com/.../TPS22990_5F00_22975_5F00_tDelay.xlsx
如果可能、您能告诉我最小值/最大值吗？ (除非有相关规定、否则我也希望得到此类回答)
有很多、请相应。
您可以在下周初之前获得有关此内容的更新信息。
