[参考译文] BQ76PL536A：基于基本 bq CS_H 的硬件设计

您是否清除了警报[SLEEP]位？
如果没有、则您将看到电流因警报位而增加。

1K 上拉至 LDOD 是可以的。 5.1K 仍然正常。
我们有1K 的 EVM 上拉电阻、没有发现任何问题。

您是否对任何 LDO 额外加载？ 器件具有最大负载。

1K 未报告任何问题。
您认为可以与我分享原理图吗？

感谢黄禹锡的回答；

以下是  睡眠模式中所有 bq 的状态：(我有15个 Ultracapacitors，每个 bq 管理5；第六个短接至 fivth；因此第六个短接始终为 UV；

我想知道如何避免第六次会议造成的错误)

DEVICE_ADDRESS 1 DEVICE_STATUS_REG：129

DEVICE_ADDRESS 1 Alert_Status :0

DEVICE_ADDRESS 1 FAULT_STATUS_REG：2.

DEVICE_ADDRESS 1 COV_FAULT_REG :0

DEVICE_ADDRESS 1 CUV_FAULT_REG：32

DEVICE_ADDRESS 2 DEVICE_STATUS_REG：129

DEVICE_ADDRESS 2 Alert_Status :0

DEVICE_ADDRESS 2 FAULT_STATUS_REG：2.

DEVICE_ADDRESS 2 COV_FAULT_REG :0

DEVICE_ADDRESS 2 CUV_FAULT_REG：32

DEVICE_ADDRESS 3 DEVICE_STATUS_REG：129

DEVICE_ADDRESS 3 Alert_Status :0

DEVICE_ADDRESS 3 FAULT_STATUS_REG :3.

DEVICE_ADDRESS 3 COV_FAULT_REG：24

DEVICE_ADDRESS 3 CUV_FAULT_REG：48

 我的 SCH 如下所示：

当 bq 处于睡眠状态时，微扣 CPU 的功率被切断  ，只有 bqs 保持 电池的功率 ；

此外 、REG50的电压 会缓慢下降；而底部 bq 的 CS_H 会上升到几乎4.75V ~4.9V；

流入底部链中 bq 的 VCC 的电流约为12~15uA；

因此，bq 的工作状态 看起来非常好；但事实是，这三个 bq在  几天后消耗更多的电流(猜测：高于2mA)()之后会有所不同；

 

现在我不知道 bq 何时和如何开始异常工作； 当我发现这个问题时，bq 本身的总电压几乎变成零成本；

谢谢；

正如我说过的、一个 bq 支持 6节串联电池、但 我只使用底部5；并将 vc6短接至 vc5；  

 在 SOFT 中 ，ADC_CONTROL 寄存器 设置为0x04以对应5个单元；

但是 CUV_FAULT 始终为0x20 (第6个单元为 UV)，相应的 FAULT_STATUS_REG 为0x02 (UV 故障)；

但 DEVICE_STATUS 寄存 器为0x 81、应为0xC1；是否可以说 我已清除了[FAULT]位？

我们知道第6个电芯短接到 ivth，所以它的电压为0；当然它会导致 UV 故障，但我如何才能仅禁用该电芯的 UV 检测？

我还清除了 Fault[UV]位、但没有影响；

另一个问题：  

我的 SCH 将 vc6直接短接至 PCB 上的 BAT，这是否正常？  

是否需要将其分开以便为 bq 供电？ 例如，首先将单元格连接到 vc0到 vc6，然后将 BAT 连接到 vc6；

如果不是，有问题吗？

非常感谢；

转到数据表7.6.3.22。 您必须配置 OV/UV 的电池节数。 如果您有5节电池、则必须禁用6节电池。 否则、您将始终遇到故障。

您可以按任何顺序连接电池、但最好通过 GND、VC1和 VC6顺序进行连接、电流为536A。

黄禹锡

我在 bq76pl536A 的数据表中找不到7.6.3.22、但在 bq76pl455中找不到7.6.3.22；

在测试过程中、我发现 bq 激活时底部 bq 的 FAULT 引脚为高电平、但 bq 内部睡眠模式时变为低电平；

是否有任何其他 可能的原因会导致 bq 处于活动状态或进入一些会消耗大电流的状态？

转到检查此链接。

您需要将 FUNC功能性 配置寄存器(0x40)寄存器设置为5S 以避免 V6电池出现 OV/UV 故障。

在 bq76pl536A-Q1数据表中搜索。 它们 是相同的。

您好、Roger；

我很抱歉这一晚答复；

您的建议 解决了我的问题，我一直保留故障信号处理以设置寄存器0x40；非常感谢您；

但我还有一个问题：

在此项目中，“我的 CPU”软流将在下面显示：

检查低于预设点的总电压，-->设置所有 bq IO_CONTINENT[SLEEP] 位；-->清除警报位-->切断系统的电源，bq 除外(来自电池的 bq 电源)；

在此睡眠模式中：CS_H 被 LDOD 拉高；SDI_H、SCLK_H、CONV_H 的引 脚下拉至基极 bq 的 GND。

我测试了该睡眠模型中每个 bq 的 VCC 电流成本、如下所示；

到基极 bq1 VCC 的电流为26uA；

第二个和第三个 bq 到 VCC 的电流为12uA；REG50为每个 bq 的0V；

就像上面的装饰一样；我找不到任何问题；

但在几天后，一些系统 正常工作，我做了下面的测试；

每个 bq 上的电池功耗不同；最严重的 bq 会消耗其电池的所有电量；因此，我找不到任何有用  的外观来解释这个问题；(电流必须超过2~5 mA 或更强的加速度到时间 )

另外两个 bq 正在工作；但它们的 REG50输出为5V；看起来它们被某些东西削弱了；

因此，您知道这是我的 CPU 在无电源的情况下一直无法工作的时候；  

是否有任何问题可能导致此状态？

CS_H NMOS 电路上有齐纳二极管。 请检查齐纳二极管的泄漏。 查看数据表。
我建议客户将 DRDY_H 引脚悬空。 您必须执行与该引脚类似的操作、如 CS_H 但浮点是一个快速选项。 我会将其悬空。

在转换模式下、REG50必须为0V。
如果您读取的是5.0V、则器件不处于睡眠模式。

1.检查齐纳管的规格。 确保它们是低泄漏齐纳二极管。
2.仔细检查 REG50是否为0V。 您是否确定 reg50为0V、ALERT_H 和 FAULT_H 也为0V。

26uA 听起来像是齐纳泄漏。
我还会将 R91和 R92更改为20K、因此等效上拉电阻为10K。