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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/658615/lm5069-failure-output-in-case-of-startup
大家好 如果我们问 LM5069、您会介意吗？ 请参阅附件文件。
e2e.ti.com/.../20180123_5F00_LM5069.pdf此致、 大田松本
e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_B-per-sch-inputs-needs-work.xlsxHirotaka、
设计需要做很多工作。 第1个 FET 选择： 这个 Infineon FET 是热插拔的不理想选择。 它具有极差的 SOA、不合适、并且 Rdson 可能过高、具体取决于您的工作电流。 以 CSD19502Q5B 作为起点。 您可能需要比这更强大的 SOA。 与330pF 相比、您需要更高的 dv-dt 电容值。 计时器太短、100pF。 请访问 www.ti.com/hotswap 并下载所需的设计工具。 有关使用这些工具的优秀应用手册和教程视频。 我根据原理图连接了第一个切割工具。 这将为您带来一个开始。 注意电子表格中的红色项目需要更正。 您需要了解整个 Cout 下游、而不仅仅是发送的原理图页面上的内容以及所有系统要求。
Brian
Brian San 非常感谢您的回复！ 我们发现客户的 FET 不合适、因此我们鼓励客户更改 FET。 然后、我们要确认以下内容； ・您需要比330pF 高得多的 dv-dt 电容值。 μ・计时器太短、100pF。 通过增加 Ctimer、它扩展了最小故障时间(tflt)。 数据表中有" 通过增加50%的故障时间额外裕量、使最小故障时间(tflt)大于启动时间(tstart)"的说明。 这是否意味 着 tflt+margin > tstart？ 然后、与330pF 相比、dv-dt 电容是否需要减慢上升时间？ 此致、 大田松本
Brian San 然后、我们的客户更改了计时器、之后他们可以 解决问题。 感谢你的建议。 此致、 大田松本
