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器件型号：LM9061-Q1 主题中讨论的其他器件：LM5060-Q1、
我的客户在执行将器件与 GND 短路的测试时遇到 MOSFET 损坏的问题。 该部件似乎正常工作、除非在运行此测试时。 问题是，他们必须运行此测试以满足客户的要求。
数据表中有一节指出：
在故障情况下、锁存电流阱(典型值10uA)可能无法及时对总栅极电容放电、以防止损坏 MOSFET。
我认为客户可能就是这种情况。 您能否更详细地解释此警告？
他能否添加任何可使 FET 更快关断的附加电路？ 在驱动电路中使用反向二极管是否有帮助？
您是否有任何其他可能对客户有所帮助的建议？
是否有其他方法可以运行短路测试、从而提供正确的结果并且不会损坏外部 FET？
您是否建议客户使用其他器件？
如果您有任何疑问、请告诉我。
感谢您对此的帮助！
Richard Elmquist
