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[参考译文] TPS25942A:用于单节或双节锂离子电池 UV/OV/OC 和反向电池保护

Guru**** 2405605 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS25942A, TPS259230-41EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/657209/tps25942a-for-single-or-double-cell-li-ion-battery-uv-ov-oc-and-reverse-battery-protection

器件型号:TPS25942A
主题中讨论的其他器件: TPS259230-41EVM

您好!

我想将 TPS25942A 用于 便携式测量产品的单节(18650)或双节(2x16340)锂离子电池 UV/OV/OC 和反向电池保护。 输入电压范围约为3V (单节电池的低端)至8.4V (2节电池的高端)。 数据表中详细介绍 了 UV/OV/OC 保护。 但对于电池反向保护、第10.3.1.4节和图86中只有非常简短的信息。

我对图86的问题如下:

由于 GND 端子路径中的信号二极管、如果没有二极管、输入电压是否会漂移更高、而不是2.7至18V?

2、 由于 GND 端子路径中的信号二极管、UVLO、OV dVdT、ILIM 和 IMON 的计算有何影响?

3.应该将芯片的散热焊盘连接到芯片的 GND (引脚16)、然后通过 信号二极管连接到 PCB 接地层、或者 直接连接到 PCB 接地层?

谢谢、

Danlin

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    Danlin、您好!

    感谢您的联系。

    1A) IN 和 GND 引脚之间的工作电压范围保持不变 、即2.7V 至18V

    2a) UVLO、OV、dVdt、ILIM 和 IMON 的计算以 GND 为基准。 现在、如下图所示、输入电压变为 in=VB-VD 而不是 VB。 数据表中给出的公式可通过从输入源 VB 中减去信号二极管压降来使用。

    3A)将散热焊盘连接到 GND 引脚(引脚16)、然后通过信号二极管连接到 PCB 接地层。 请为散热焊盘制作一个铜岛。 您可能想查看中图6和图7的示例

    此致、

    Rakesh

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    感谢 Rakesh 的快速响应。

    在我的设计中、输入电压范围 VB 的低端为3V、非常接近 TPS25942的2.7V 输入电压最小值。 我是否应该使用肖特基二极管在您的亮点中实现低 VD? 在这里、如何使用小型 MOSFET 作为理想二极管来实现最小 VD?

    谢谢、

    Danlin

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    Danlin、您好!

    是的、我建议使用小型 MOSFET 而不是二极管来实现更低的压降、如图1所示。 TPS259230-41EVM 原理图 www.ti.com/.../sluuba0a.pdf

    此致、
    Rakesh