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[参考译文] TPS65263-1Q1：IC PD 公式

admin
Guru**** 2387080 points
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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/656584/tps65263-1q1-ic-pd-equation

器件型号：TPS65263-1Q1

请告诉我们 TPS65263-1Q1 IC PD 公式？

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    PD = VIN×IIN×(1–效率)– IOUT2×DCR

    PS：下次您写问题时。 请清楚地写下什么是 PD、因为它可能会使读者感到困惑。  谢谢。

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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Gavin -san
    感谢你的答复。

    总 PD =电感器功率耗散(L1、L2、L3)+输出电容器功率耗散(CO1、CO2、CO3)+输入电容器功率耗散(Cin1、Cin2、Cin3)+ IC PD + IC IQ PD (IDDQ_NSW)

    超出我的理解是否正确？

    我们想知道 IC PD 公式、其中包括 SW 频率、RDSON_HS*、RDSON_LS*。
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    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kura

    总 PD 包括 HS_FET 和 LS_FET 开关损耗、HS_FET 和 LS_FET 导通损耗、电感器 DCR 损耗、输出/输入电容器 ESR 损耗、IC IQ PD (NSW)、IC 内部 驱动器 PD 和 Qrr 损耗。

    HS_FET 和 LS_FET 开关损耗和传导损耗占主导、通常我们只计算开关损耗和传导损耗来评估凸极。

    HS_FET 开关损耗：VIN*FSW*IO*TT。 (TT 是 SW 电压的转换时间、SW 从低电平到高电平的时间(TR)或 SW 从高电平到低电平的时间(TF)、假设 TT=TR=TF。)

    LS_FET 开关损耗：2*Vd*IO*TD*FSW。 (TD 为死区时间、Vd 为体二极管正向电压。)

    HS_FET 导通损耗：IO^2*RDSON_HS*D. (D 是责任。)   

    LS_FET 导通损耗：IO^2*RDSON_LS*(1-D)。

    另一个损耗计算非常复杂、因此建议参考 DCDC 手册和论文。